[發(fā)明專(zhuān)利]一種基板及其切裂方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210410350.6
• 申請(qǐng)日: 2012-10-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102910809A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳信華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C03B33/02
• 分類(lèi)號(hào): C03B33/02;G02F1/1333;G02F1/1335
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶面板制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基板及其切裂方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，液晶基板的切裂多采用刀輪切裂的方式，請(qǐng)參閱圖1和圖2，圖1是現(xiàn)有技術(shù)中基板的切裂方法的原理示意圖，圖2是現(xiàn)有技術(shù)中基板切裂后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。其切裂方式具體為：利用刀輪100對(duì)基板200的一側(cè)表面進(jìn)行施壓，使其表面破壞形成肋條狀裂紋300，肋條狀裂紋300分為水平裂紋301和垂直裂紋302，然后對(duì)基板200的另一側(cè)表面進(jìn)行施壓，使垂直裂紋302延伸（圖1中虛線(xiàn)部分）以斷開(kāi)基板200。

然而，這種切裂方式會(huì)出現(xiàn)以下問(wèn)題：

1.在對(duì)基板200的另一側(cè)表面施壓時(shí)，垂直裂紋302延伸長(zhǎng)度較大時(shí)會(huì)有斜度產(chǎn)生。

2.基板200由薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光片基板組成，當(dāng)薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光片基板產(chǎn)生的斜度不一致時(shí)，會(huì)形成斷差。

3.所形成的斜度和斷差可能在精度允許以?xún)?nèi)，但實(shí)際制程中，可能會(huì)造成檢查機(jī)的誤判，增加工作人員的負(fù)擔(dān)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種基板的切裂方法，能夠加快基板切裂的速度，降低切裂后的斜度和斷差，從而降低檢查機(jī)的誤判，減輕工作人員負(fù)擔(dān)。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種基板的切裂方法，該基板包括第一基板和第二基板，第一基板包括第一表面和與該第一表面相對(duì)的第二表面，第二基板包括第一表面和與該第一表面相對(duì)的第二表面，該切裂方法包括：分別在第一基板的第一表面和第二基板的第一表面形成蝕刻槽；將第一基板的第一表面和第二基板的第一表面沿蝕刻槽對(duì)齊貼合；在第一基板的第二表面和第二基板的第二表面分別用刀輪沿切割線(xiàn)切割第一基板和第二基板，使得切割形成的垂直裂紋延伸至蝕刻槽，進(jìn)而斷開(kāi)第一基板和第二基板。

其中，蝕刻槽為三角形槽。

其中，蝕刻槽由激光蝕刻形成。

其中，切割線(xiàn)位于蝕刻槽的寬度內(nèi)。

其中，第一基板的第二表面的切割線(xiàn)和第二基板的第二表面的切割線(xiàn)位于同一垂直平面。

其中，刀輪為高滲透刀輪。

其中，第一基板為薄膜晶體管陣列基板。

其中，第二基板為彩色濾光片基板。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種基板，該基板包括第一基板和第二基板，該第一基板第一表面和與該第一表面相對(duì)的第二表面，第二基板包括第一表面和與該第一表面相對(duì)的第二表面；其中，第一基板的第一表面和第二基板的第一表面具有蝕刻槽。

其中，第一基板為薄膜晶體管陣列基板，第二基板為彩色濾光片基板。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在第一基板的第一表面和第二基板的第一表面形成蝕刻槽，使得在切割基板時(shí)縮短了垂直裂紋延伸的距離，從而能夠加快基板切裂的速度，降低切裂后的斜度和斷差，降低檢查機(jī)的誤判，減輕工作人員負(fù)擔(dān)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖，其中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中基板的切裂方法的原理示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中基板切裂后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明基板的切裂方法實(shí)施例的流程示意圖；

圖4是本發(fā)明基板實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖3，圖3是本發(fā)明基板的切裂方法實(shí)施例的流程示意圖。該基板包括第一基板和第二基板，第一基板包括第一表面和與該第一表面相對(duì)的第二表面，第二基板包括第一表面和與該第一表面相對(duì)的第二表面。其中，第一基板為薄膜晶體管陣列基板，第二基板為彩色濾光片基板。當(dāng)然，也可第一基板為彩色濾光片基板，第二基板為薄膜晶體管陣列基板，本發(fā)明對(duì)此不作限定。該方法包括：

S101：分別在第一基板的第一表面和第二基板的第一表面形成蝕刻槽。