[發(fā)明專利]一種上下堆疊的片上系統(tǒng)芯片的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210410099.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-10-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102891114A | 公開(公告)日: | 2013-01-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 景蔚亮;陳邦明;亢勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海新儲(chǔ)集成電路有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/98 | 分類號(hào): | H01L21/98 |
| 代理公司: | 上海麥其知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31257 | 代理人: | 董紅曼 |
| 地址: | 201506 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 上下 堆疊 系統(tǒng) 芯片 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片堆疊技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種上下堆疊的片上系統(tǒng)芯片的制作方法。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)數(shù)?;旌掀舷到y(tǒng)芯片,如圖2所示,芯片上通常包含片上時(shí)鐘模塊、中央處理器、圖形處理器、嵌入式非易失性存儲(chǔ)器、靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器SRAM,模擬外設(shè)、電源管理模塊、中斷管理模塊、對(duì)外輸入輸出管腳、標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線。片上時(shí)鐘模塊、中央處理器、圖形處理器、嵌入式非易失性存儲(chǔ)器、靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器SRAM,模擬外設(shè)、電源管理模塊、中斷管理模塊、對(duì)外輸入輸出管腳均與標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線連接。其中,數(shù)字邏輯單元面積可以隨著工藝節(jié)點(diǎn)縮小而減小,但由于性能的要求模擬及輸入輸出單元不能隨著工藝節(jié)點(diǎn)縮小而減小,這樣的片上系統(tǒng)芯片如果用一種工藝尺寸制造,例如用大尺寸工藝節(jié)點(diǎn),如130納米及以上的工藝,每顆芯片的面積就會(huì)很大,這樣每個(gè)晶片可以切出的芯片量就相對(duì)較少,從而每顆芯片的成本就不會(huì)達(dá)到最低。反之,如果用小尺寸工藝節(jié)點(diǎn),如90納米及以下的工藝。雖然,每顆芯片的面積可以較之前芯片的面積小很多,但由于模擬電路和輸入輸出電路面積并沒有按比例縮小,所以在價(jià)格昂貴的先進(jìn)工藝尺寸上制造出來的每顆芯片的成本還是達(dá)不到最優(yōu)化。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明克服了傳統(tǒng)片上系統(tǒng)芯片中數(shù)模電路的面積因?yàn)椴荒芡瑫r(shí)隨著工藝節(jié)點(diǎn)縮小而減小,導(dǎo)致每顆芯片的成本不能最優(yōu)化的缺陷,提出了一種上下堆疊的片上系統(tǒng)芯片的制作方法。本發(fā)明基于芯片堆疊技術(shù),把原本實(shí)現(xiàn)在同一顆芯片上的片上系統(tǒng)中的數(shù)字邏輯單元和模擬電路分開,把面積能夠隨著工藝尺寸不斷縮小而等比例縮小的單元實(shí)現(xiàn)在先進(jìn)的小尺寸工藝芯片上,把面積不能隨著工藝尺寸不斷縮小而等比例縮小的電路實(shí)現(xiàn)在折舊完畢且價(jià)格低廉的大尺寸工藝芯片上,從而使數(shù)?;旌掀舷到y(tǒng)芯片的成本達(dá)到最優(yōu)化。
本發(fā)明提出了一種上下堆疊的片上系統(tǒng)芯片的制作方法,其特征在于,包括:
步驟一:將面積能隨制造工藝尺寸縮小而減小的電路單元實(shí)現(xiàn)在第一芯片上,與設(shè)置在所述第一芯片上的第一片上系統(tǒng)微控制器標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線連接;
步驟二:將面積不能隨制造工藝尺寸縮小而減小的電路單元實(shí)現(xiàn)在第二芯片上,與設(shè)置在所述第二芯片上的第二片上系統(tǒng)微控制器標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線連接;
步驟三:通過將所述第一芯片的第一片上系統(tǒng)微控制器標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線與第二芯片的第二片上系統(tǒng)微控制器標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線作為互連管腳進(jìn)行上下連接,得到片上系統(tǒng)芯片。
其中,所述面積能隨制造工藝尺寸縮小而減小的電路單元包括:靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、嵌入式非易失性存儲(chǔ)器、中央處理器、圖形處理器、不與片上系統(tǒng)芯片對(duì)外輸入輸出管腳連接的數(shù)字外設(shè)模塊。
其中,所述面積不能隨制造工藝尺寸縮小而減小的電路單元包括:模擬外設(shè)、電源管理模塊、片上時(shí)鐘模塊、片上系統(tǒng)芯片對(duì)外輸入輸出管腳、與所述片上系統(tǒng)芯片對(duì)外輸入輸出管腳連接的數(shù)字外設(shè)模塊、中斷管理模塊。
其中,所述第一片上系統(tǒng)微控制器標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線與第二片上系統(tǒng)微控制器標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線是基于不同微控制器內(nèi)核的微控制器標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線,包括基于ARM內(nèi)核的AMBA微控制器標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線、基于8051內(nèi)核的微控制器標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線、基于MIPS內(nèi)核的OCP微控制器標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線。
其中,所述步驟三中,所述互連管腳采用引線接合互連線或硅通孔連接互連線進(jìn)行上下連接。
其中,進(jìn)一步包括:所述片上系統(tǒng)芯片由三個(gè)或三個(gè)以上的芯片上下堆疊連接;所述三個(gè)或三個(gè)以上的芯片通過片上系統(tǒng)微控制器標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線作為互連管腳上下連接。
本發(fā)明的第一芯片上的所有模塊可以隨著工藝尺寸縮小而減小,從而整個(gè)第一芯片面積也會(huì)變小,每個(gè)晶片上切割的芯片數(shù)量也隨之增多,使第一芯片的成本達(dá)到最優(yōu)化。
本發(fā)明的第二芯片上的模塊由于系統(tǒng)性能的需求,不能隨著工藝尺寸縮小而減小,所以選用折舊完畢的價(jià)格低廉的大工藝來制造,可以節(jié)省光罩制作的花費(fèi),從而使第二芯片的成本達(dá)到最優(yōu)化。
本發(fā)明用片上系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線作為管腳上下互連可以減小上下互連管腳的數(shù)目。多顆芯片堆疊連接時(shí),接口管腳數(shù)越多,這樣導(dǎo)致每個(gè)芯片的面積增加。同時(shí),接口互連管腳數(shù)增多也使多個(gè)芯片之間互連線(包括:引線接合互連線與硅通孔連接互連線等)增多,封裝開銷變大。本發(fā)明提出的上下堆疊的片上系統(tǒng)芯片的制作方法,對(duì)減少接口數(shù)尤為突出。因?yàn)?,片上系統(tǒng)微控制器標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)總線上的信號(hào)數(shù)目是固定的,這樣不管芯片上外設(shè)怎么擴(kuò)展功能怎么復(fù)雜化,第一芯片與第二芯片之間互連的接口數(shù)是固定不變的。
附圖說明
圖1為本發(fā)明上下堆疊的片上系統(tǒng)芯片制作方法的流程圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





