[發(fā)明專利]具有高穩(wěn)定性的電極活性材料及使用該材料的電化學裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210407516.9 | 申請日: | 2007-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN102916163A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張誠均;房義龍;樸熙祥;李琪永;樸盛鏞;黃璄圭;張鐘山;金德奎;鄭成和 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社LG化學;韓國化學研究院 |
| 主分類號: | H01M4/131 | 分類號: | H01M4/131;H01M4/04;H01M4/134;H01M4/1391 |
| 代理公司: | 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285 | 代理人: | 鐘守期;唐鐵軍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 穩(wěn)定性 電極 活性 材料 使用 電化學 裝置 | ||
1.一種含酸性位點的電極活性材料,其中所述酸性位點部分或全部地形成于所述電極活性材料的表面,所述酸性位點通過用含有有機類金屬化合物或有機金屬化合物和無機物的復(fù)合物處理所述電極活性物質(zhì)的表面而形成,所述有機類金屬化合物或有機金屬化合物包括至少一種供電子基團。
2.權(quán)利要求1的電極活性材料,其中所述酸性位點為布朗斯臺德酸或路易斯酸。
3.權(quán)利要求1的電極活性材料,其中所述酸強度在以哈米特指示劑H0指示的強度-10至10的范圍內(nèi)。
4.權(quán)利要求1的電極活性材料,其中所述酸性位點是由于部分或完全存在于所述無機物表面的異金屬元素和供質(zhì)子官能團的電負性差異之一或兩者而形成。
5.權(quán)利要求1的電極活性材料,其中所述的用無機物處理的電極活性材料在400℃或更高溫度下進行熱處理。
6.權(quán)利要求1的電極活性材料,其中所述無機物包括
(a)第13族元素;或者
(b)第13族元素和至少一種選自下列組的元素的化合物:堿土金屬、堿金屬、第14族元素、第15族元素、過渡金屬、鑭系金屬和錒系金屬。
7.權(quán)利要求1的電極活性材料,其中所述酸性位點是由于彼此鍵合的有機類金屬化合物和無機物之間的電負性差和/或與有機類金屬化合物或有機金屬化合物鍵合的有機物而形成。
8.權(quán)利要求1的電極活性材料,其中所述有機類金屬化合物或有機金屬化合物包括
(a)第14族元素;或
(b)第14族元素和至少一種選自下列組的元素的化合物:堿土金屬、堿金屬、第13族元素、第15族元素、過渡金屬、鑭系金屬和錒系金屬。
9.權(quán)利要求1的電極活性材料,其中所述有機類金屬化合物為含硅化合物。
10.權(quán)利要求9的電極活性材料,其中所述含硅有機類金屬化合物包括至少一種選自下列的物質(zhì):硅烷、硅烷化劑、硅烷偶聯(lián)劑、氫化硅和硅烷聚合物。
11.權(quán)利要求1的電極活性材料,其中所述有機類金屬化合物或有機金屬化合物以下式1-7之一表示:
式1
SiH4;
式2
Si(OR)4-xRx,其中0.1≤x≤3;
式3
Si(OR)4-(x+y)RxZy,其中0.1≤x+y≤3.9;
式4
Si(OR)4-xRxSi,其中0.1≤x≤3;
式5
Si(OR)4-(x+y)RxZySi,其中0.1≤x+y≤3.9;
式6
RxM(OR)4-x,其中1≤x≤3;和
式7
RxMZy(OR)4-(x+y),其中0.1≤x+y≤3.9,
其中,Z為一種選自鹵原子的元素;
M為至少一種選自下列的元素:堿土金屬、堿金屬、過渡金屬、鑭系金屬和錒系金屬;并且
R為一種取代基,選自被鹵素取代或者未被取代的C1-C20烷基、烯基、炔基、乙烯基、氨基和巰基。
12.權(quán)利要求1的電極活性材料,其中所述有機類金屬化合物或有機金屬化合物與所述無機物的組分比在0重量%-95重量%比5重量%-100重量%的范圍內(nèi)。
13.權(quán)利要求1的電極活性材料,其中所述的含所述有機類金屬化合物或有機金屬化合物與無機物的復(fù)合物的含量為對每100重量份所述電極活性材料使用0.05至20重量份。
14.一種包含權(quán)利要求1-13任一項所述的電極活性材料的電極。
15.權(quán)利要求14的電極,其中所述電極為陰極。
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