[發明專利]一種液晶顯示設備及其制造方法

無效

• 申請號: 201210407459.4
• 申請日: 2012-10-23
• 公開（公告）號: CN102914926A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 張祖翰;黃國有;陳茂松
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1333;G09F9/35
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種液晶顯示設備以及該液晶顯示設備的制造方法。

背景技術

當前，影響液晶顯示器發光效果的參數之一為像素開口率（像素的透光面積與像素面積之比率），例如，像素開口率增加時，液晶顯示器的耗電更低，亮度更高。在傳統的薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,LCD）設計中，為了增加像素開口率，一種解決方案是在于，將像素電極（pixel?electrode），諸如銦錫氧化物（Indium?Tin?Oxide,ITO）透明電極，的面積增加，且與柵極電路以及源極/漏極電路重疊，便可使像素開口率增加大約10%~20%左右。然而，該設計將會像素電極更趨于接近數據線（data?line）。一旦像素電極與數據線過于接近，二者間將進一步產生較大的寄生電容（parasitic?capacitance）。

另一方面，通常在像素電極與數據線之間設置較高介電常數的介電質，如，氮化硅薄膜。較高的介電常數將導致寄生電容增大。如果該寄生電容的電容值過高，將進一步致使像素電極上充飽的電荷在下一個畫面轉換前，受到數據線傳送不同電壓的影響，從而產生串音效應（cross?talk）。為此，可設置一保護層，藉由共通電極線與像素電極之間的距離增大來降低寄生電容的影響，但二者間的距離增大同時也會減小其存儲電容。若要維持總的存儲電容保持不變，勢必會增加與存儲電容相關的電極表面積，而電極表面積的增加將反過來降低了像素開口率。

此外，AHVA（Advanced?Hyper?Viewing?Angle，超視角高清晰技術）的整合式觸控液晶屏，通過整合性解決方案，在大幅降低產品重量的同時，還可使產品更輕薄和便于攜帶，從而提供更具超高分辨率的高畫質圖像效果。但是，AHVA顯示器的分辨率提高，同時也意味著共通電極線之間的間隙更小（如，數量減小、線寬縮小），造成存儲電容的電容值降低，進而導致顯示器在觀看時的視覺品味下降。

有鑒于此，如何設計一種改進的液晶顯示設備，不僅可降低數據線與共通電極之間的RC負荷，還可增加共通電極與像素電極之間的存儲電容，減小功耗，進而減輕或消除串音和閃爍現象，是業內相關技術人員亟待解決的課題。

發明內容

針對現有技術中的液晶顯示設備所存在的上述缺陷，本發明提供了一種新穎的液晶顯示設備及其制造方法。

依據本發明的一個方面，提供了一種液晶顯示設備的制造方法，包括以下步驟：

于一基板上形成一數據線以及一像素，其中，該像素位于液晶顯示設備的顯示區；

形成一圖案化的第一保護層于數據線的上方及像素的上方；

形成一圖案化的蝕刻阻止層于第一保護層的上方；

形成一圖案化的第二保護層于蝕刻阻止層的上方；以及

依次蝕刻該像素上方的第二保護層和蝕刻阻止層，

其中，藉由第一保護層、蝕刻阻止層和第二保護層的層疊結構對數據線進行保護，以及藉由第一保護層對像素進行保護。

優選地，蝕刻阻止層為一非晶硅層。

優選地，該制造方法還包括：形成一共通電極層于數據線上方的第二保護層之上以及該像素上方的第一保護層之上；蝕刻該像素上方的共通電極層，以形成圖案化的共通電極線。

依據本發明的另一個方面，提供了一種液晶顯示設備的制造方法，包括以下步驟：

于一基板上形成一數據線以及一像素，其中，該像素位于液晶顯示設備的顯示區；

形成一圖案化的第一保護層于該數據線的上方以及該像素的上方；

形成一圖案化的蝕刻阻止層于第一保護層的上方；以及

蝕刻像素上方的該蝕刻阻止層，

其中，藉由第一保護層和蝕刻阻止層的層疊結構對數據線進行保護，以及藉由第一保護層對像素進行保護。

優選地，第一保護層的材質為氮化硅，蝕刻阻止層的材質為氧化硅。

優選地，該制造方法還包括以下步驟：形成一光刻膠層于該蝕刻阻止層的上方，其中，該數據線上方的光刻膠層為不透明膜，該像素上方的光刻膠層為半透明膜；移除該像素上方的光刻膠層；以及在該像素上方的蝕刻阻止層被蝕刻后，移除該數據線上方的光刻膠層。

依據本發明的又一個方面，提供了一種液晶顯示設備，包括：

一基板；

一數據線，形成于所述基板上；

一像素，形成于所述基板上，且位于所述液晶顯示設備的顯示區；