[發明專利]一種利用犧牲層的SOI MOSFET體接觸形成方法

有效

• 申請號: 201210407267.3
• 申請日: 2012-10-23
• 公開（公告）號: CN102903640A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 王穎;包夢恬;曹菲;邵雷
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工程大學
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種利用犧牲層的SOI?MOSFET體接觸形成方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟1、在底層半導體襯底（1）上淀積隱埋SiO₂層（2），在隱埋SiO₂層（2）上淀積SiGe掩蔽膜（3）；

步驟2、在SiGe掩蔽膜（3）上涂光刻膠（4），第一次刻蝕去除大部分SiGe掩蔽膜（3），露出隱埋SiO₂層（2），保留小部分的SiGe掩蔽膜（3），使保留的SiGe掩蔽膜（3）兩側的隱埋SiO₂層（2）面積不等；

步驟3、再次涂膠，第二次刻蝕去除位于SiGe掩蔽膜（3）左側面積偏小的隱埋SiO₂層（2）直至露出底層半導體襯底（1），保留SiGe掩蔽膜（3）右側面積大的隱埋SiO₂層（2）結構；去除多余的光刻膠，之后外延生長頂層硅膜（5）；

步驟4、光刻形成有源區，生長柵氧化層（7），淀積多晶硅柵（8），光刻多晶硅柵（8），源漏端注入形成源端和漏端，其中通過注入在保留的SiGe掩蔽膜上形成源端；

步驟5、在源端表面、多晶硅柵（8）表面和漏端表面涂光刻膠（9），第三次刻蝕去除未涂膠部分的頂層硅膜（5）直至露出底層半導體襯底（1）；

步驟6、在露出的底層半導體襯底（1）上涂抹光刻膠，第四次橫向刻蝕去除保留的SiGe掩蔽膜（3a）；去除底層半導體襯底（1）上的光刻膠，外延生長補全頂層硅膜（5），P⁺離子注入，去除多余的光刻膠，淀積金屬電極。

2.根據權利要求1所述的利用犧牲層的SOI?MOSFET體接觸形成方法，其特征在于，所述的底層半導體襯底（1）材料為硅、鍺、Ⅲ~Ⅴ族化合物半導體材料、Ⅱ~Ⅵ族化合物半導體材料或其他化合物半導體材料，也能采用單晶材料。

3.根據權利要求2所述的利用犧牲層的SOI?MOSFET體接觸形成方法，其特征在于，所述的單晶材料可通過摻雜使其成為n型襯底或p型襯底。