[發明專利]一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置有效
| 申請號： | 201210403646.5 | 申請日： | 2012-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN102903796A | 公開（公告）日： | 2013-01-30 |
| 發明（設計）人： | 李秉霖;姜言森;任現坤;張春艷;程亮;賈河順;馬繼磊;孫繼峰 | 申請（專利權）人： | 山東力諾太陽能電力股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;C30B33/12 |
| 代理公司： | 濟南舜源專利事務所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山東省濟*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體 太陽能電池 rie 裝置 | ||
1.一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置，包括反應室、氣體管道、噴淋裝置，其特征在于，噴淋裝置位于反應室的頂部，反應氣體通過氣體管道由噴淋裝置進入反應室，氣體管道上設置有流量控制器，反應室中還設有反應離子擋板，置于需制絨硅片的正面上方。
2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置，其特征在于：反應離子擋板位于硅片正面上方0-100cm。
3.?根據權利要求2所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置，其特征在于：反應離子擋板位于硅片正面上方0.01-10cm。
4.?根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置，其特征在于：反應離子擋板位于硅片正面電池主柵區域正上方，形狀與電池主柵區域的形狀一致。
5.?根據權利要求4所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置，其特征在于：遮擋在硅片電池主柵區域上方的反應離子擋板的寬度為0-30cm。
6.?根據權利要求5所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置，其特征在于：遮擋在硅片電池主柵區域上方的反應離子擋板的寬度為0.01-5cm。
7.?根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置，其特征在于：反應離子擋板為至少一個，反應離子擋板之間相互平行。
8.?根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置，其特征在于：反應離子擋板由耐腐蝕材料制成。
9.?根據權利要求8所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置，其特征在于：反應離子擋板由石墨制成。
10.?根據權利要求8所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置，其特征在于：反應離子擋板由耐腐蝕的陶瓷材料、金屬材料或高分子材料的其中一種或幾種制成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
