[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210403646.5
• 申請(qǐng)日: 2012-10-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102903796A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李秉霖;姜言森;任現(xiàn)坤;張春艷;程亮;賈河順;馬繼磊;孫繼峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東力諾太陽(yáng)能電力股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;C30B33/12
• 代理公司: 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 37205
• 代理人: 宋玉霞

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于晶體硅太陽(yáng)能電池制絨設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置。

背景技術(shù)

太陽(yáng)能作為一種綠色能源，以其取之不竭、無(wú)污染、不受地域資源限制等優(yōu)點(diǎn)越來(lái)越受到人們的重視。在太陽(yáng)電池的研制歷程中曾使用過(guò)各種半導(dǎo)體，硅是其中最重要的一種。按豐度排列．硅是地球上第二大元素。硅是單元素半導(dǎo)體，無(wú)毒，廢棄硅對(duì)環(huán)境沒(méi)有污染。因此硅至今仍是太陽(yáng)電池的最佳選用材料。

在太陽(yáng)能電池的制造工藝流程中，RIE制絨逐漸成為降低晶體硅表面反射率，提高陷光效果的重要方法，尤其是在多晶硅方面，大大的減少了硅的表面反射率，提高了電池的轉(zhuǎn)化效率。但是，在后續(xù)電池可靠性方面，電池主柵的焊接拉力也隨著降低。這樣，在一定程度上增加組件的串聯(lián)電阻，降低組件效率和功率，在后期的組件穩(wěn)定性留下了隱患。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對(duì)上述存在的問(wèn)題而提供的一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，該裝置可控性好，靈活性高，適用于晶體硅太陽(yáng)能電池的工業(yè)化生產(chǎn)。

本發(fā)明的一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置采用的技術(shù)方案為：包括反應(yīng)室、氣體管道、噴淋裝置和反應(yīng)離子擋板，其中，噴淋裝置位于反應(yīng)室的頂部，反應(yīng)氣體通過(guò)氣體管道由噴淋裝置進(jìn)入反應(yīng)室，氣體管道上設(shè)置有流量控制器；在硅片的制絨過(guò)程中，在硅片正面上方添加反應(yīng)離子擋板，通過(guò)控制反應(yīng)離子檔板的位置，實(shí)現(xiàn)電池主柵區(qū)域未制絨的效果。

所述的反應(yīng)離子擋板位于電池正面上方0-100cm。

所述的反應(yīng)離子擋板位于電池正面上方0.01-10cm。

反應(yīng)離子擋板位于硅片正面電池主柵區(qū)域正上方，形狀與電池主柵區(qū)域的形狀一致。反應(yīng)離子擋板的寬度為0-30cm；所述的反應(yīng)離子擋板的寬度優(yōu)選為0.01-5cm。

應(yīng)離子擋板為至少一個(gè)，反應(yīng)離子擋板之間相互平行。

反應(yīng)離子擋板由耐腐蝕材料制成。反應(yīng)離子擋板優(yōu)選由石墨制成；或者是由耐腐蝕的陶瓷材料、金屬材料或高分子材料的其中一種或幾種制成。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置包括反應(yīng)室、氣體管道、噴淋裝置，噴淋裝置位于反應(yīng)室的頂部，反應(yīng)氣體通過(guò)氣體管道由噴淋裝置進(jìn)入反應(yīng)室，氣體管道上設(shè)置有流量控制器，反應(yīng)室中還設(shè)有反應(yīng)離子擋板，置于需制絨硅片的正面上方。該裝置可控性好，靈活性高，能夠準(zhǔn)確地在硅片電池主柵區(qū)域以外的區(qū)域制絨，實(shí)現(xiàn)電池主柵區(qū)域未制絨的效果，適用于晶體硅太陽(yáng)能電池的工業(yè)化生產(chǎn)。另外，多個(gè)反應(yīng)離子擋板的設(shè)計(jì)可以更好的適應(yīng)產(chǎn)線工藝的變更。采用該裝置制備的晶體硅太陽(yáng)能電池可以改善其焊接拉力，提高組件性能的穩(wěn)定性以及轉(zhuǎn)化效率。

附圖說(shuō)明：

圖1所示為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2所示為本發(fā)明實(shí)施效果圖。

圖中，1.反應(yīng)室，2.?氣體管道，3.噴淋裝置，?4.反應(yīng)離子擋板，5.?流量控制器，6.硅片，?7.?電池主柵區(qū)域。

具體實(shí)施方式：

為了更好地理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖和實(shí)例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，但是本發(fā)明并不局限于此。

一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，包括反應(yīng)室1、氣體管道2、噴淋裝置3和反應(yīng)離子擋板4，其中，噴淋裝置3位于反應(yīng)室1的頂部，反應(yīng)氣體通過(guò)氣體管道2由噴淋裝置3進(jìn)入反應(yīng)室1，氣體管道2上設(shè)置有流量控制器5；在硅片6的制絨過(guò)程中，在硅片6正面上方添加反應(yīng)離子擋板4，通過(guò)控制反應(yīng)離子檔板4的位置，實(shí)現(xiàn)電池主柵區(qū)域7未制絨的效果。

所述的反應(yīng)離子擋板4位于硅片6正面上方0-100cm。

所述的反應(yīng)離子擋板4位于硅片6正面上方0.01-10cm。

反應(yīng)離子擋板4位于硅片正面電池主柵區(qū)域7正上方，形狀與電池主柵區(qū)域7的形狀一致。反應(yīng)離子擋板4的寬度為0-30cm；所述的反應(yīng)離子擋板4的寬度優(yōu)選為0.01-5cm。

所述的反應(yīng)離子擋板4為至少一個(gè)，而且多個(gè)反應(yīng)離子擋板4之間相互平行。

反應(yīng)離子擋板4由耐腐蝕材料制成。反應(yīng)離子擋板4優(yōu)選由石墨制成,或者是由耐腐蝕的陶瓷材料、金屬材料或高分子材料的其中一種或幾種制成。

采用該裝置制備的晶體硅太陽(yáng)能電池可以改善其焊接拉力，提高組件性能的穩(wěn)定性以及轉(zhuǎn)化效率。