[發(fā)明專利]發(fā)光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210402917.5
• 申請日: 2007-06-07
• 公開（公告）號: CN102903734A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 藤岡弘文;小澤信夫
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種發(fā)光顯示器，包括：

驅(qū)動元件和電連接至所述驅(qū)動元件的第一配線層（15B），

該顯示器包括：

第一電極（18A），位于所述第一配線層（15B）之上；

發(fā)光部分（19），形成在所述第一電極（18A）之上；

第二電極（20），由一材料形成并布置在所述發(fā)光部分（19）之上；以及

其中配線層（18B）形成為與所述第一電極（18A）相同的層，以及

所述配線層（18B）電連接到所述第一配線層（15B）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中

所述材料（20）允許來自所述發(fā)光部分的光穿過。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，還包括

所述第二電極（20）公共地布置在所述發(fā)光部分（19）上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，還包括

所述第二電極（20）的一部分與導(dǎo)電接觸層（23）直接接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中

所述第一配線層（15B）通過圖案化一個導(dǎo)電層而形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示器，其中

所述導(dǎo)電層（23）是多層膜，

所述多層膜包括：

低蝕刻選擇性膜，在所述多層膜的至少最上層，以及

高蝕刻選擇性膜，在所述低蝕刻選擇性膜的下層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光顯示器，

所述多層膜（23）包括：

低蝕刻選擇性膜，由相對于所述第一電極具有相對低的蝕刻選擇性的材料制成，以及

高蝕刻選擇性膜，由相對于所述第一電極具有相對高的蝕刻選擇性的材料制成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光顯示器，

所述導(dǎo)電接觸層中的所述低蝕刻選擇性膜被部分地移除。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，

所述配線層（18B）在錐形的側(cè)壁上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中

所述第一配線層（15B）的電阻小于所述第二電極（20）的電阻。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中

所述第一配線層（15B）具有一上層（15B3）。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中

所述配線層（18A）為Ti、TiN、W、Cr、Au、Pt、Cu、ITO、IZO、Ag或它們的混合材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中

所述配線層（18A）是頂層為Ti的多層。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中

所述配線層（18A）為Al、AlNd、AlCe。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中

所述第二電極（20）為ITO、IZO、MgAg、Cu、Ag、Al。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中

所述第二電極（20）和所述第一配線層（15B）彼此部分連接。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中

所述第二電極（20）和所述第一配線層（15B）通過所述導(dǎo)電接觸層彼此部分連接。

18.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示器，還包括

所述導(dǎo)電接觸層（23）將所述第二電極（20）和所述第一配線層（15B）電連接。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，還包括

所述第一配線層（15B）的一部分位于所述第二電極（20）之上且與所述第二電極（20）直接接觸。

20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中

保護(hù)層（17B）形成在所述導(dǎo)電層（23）之上。