[發明專利]一種二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210401652.7
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN103000760A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 張晨;張森林
• 申請（專利權）人: 江蘇晨電太陽能光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C16/52
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 張惠忠

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技術領域

本發明涉及一種減反射膜的制備方法，具體涉及一種二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法。

背景技術

減反射膜又稱增透膜，它是鍍在光學零件光學表面上的一層折射率較低的薄膜。目前，大規模生產采用的是PEVCD法制備氮硅膜，但其反射率還不是很低。減反射膜是應用最廣、產量最大的光學薄膜，因此，它至今任然是光學薄膜技術中重要的研究課題。

由于硅的折射系數與空氣的折射系數相差很大，光波在界面處的反射成為影響太陽能電池效率的重要因素，因此，必須在電池表面加鍍減反射膜和梯度折射率減反膜。二氧化鈦薄膜對電池片生產過程中的大多數化學物質都有很好的化學穩定性，其折射率高和吸收率低，在玻璃封裝的太陽能電池應用中優勢明顯。目前，二氧化鈦薄膜的研究集中于染料敏化電池、光催化等方面，對太陽能減反射膜應用研究很少。

發明內容

本發明的目的在于提供一種二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法。

本發明的目的可以通過以下技術方案實現：

一種二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法，其特征在于它包括如下步驟：

(1)對擴散爐抽真空，保持爐內溫度420℃；

(2)沉積二氧化鈦薄膜，溫度為460℃，以氧氣為反應氣體、氬氣為濺射氣體，濺射靶是直徑為8cm的鈦靶，氧氣流量為8-15mL/min，氬氣流量為100-120mL/min，濺射功率200-400瓦，濺射時間4-180min；

(3)二氧化鈦薄膜樣品在氮氣保護下進行退火處理。

所述的步驟(2)氧氣流量為8-12mL/min，氬氣流量為100-110mL/min。

所述的步驟(2)氧氣流量為10mL/min，氬氣流量為100mL/min。

所述的步驟(2)濺射時間50-100min。

所述的步驟(2)濺射時間70min。

所述的退火處理的條件為：溫度為350℃，保溫5min。

本發明的有益效果：本發明得到的二氧化鈦薄膜可以明顯降低電池表面對光的反射，提高太陽能電池的光電轉換效率；其折射率高和吸收率低，在玻璃封裝的太陽能電池應用中優勢明顯；本發明制備方法簡單，適合規?；a。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

實施例1

一種二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法，包括如下步驟：(1)對擴散爐抽真空，保持爐內溫度420℃；(2)沉積二氧化鈦薄膜，溫度為460℃，以氧氣為反應氣體、氬氣為濺射氣體，濺射靶是直徑為8cm的鈦靶，氧氣流量為8mL/min，氬氣流量為100mL/min，濺射功率400瓦，濺射時間4min；(3)二氧化鈦薄膜樣品在氮氣保護下進行退火處理，溫度為350℃，保溫5min。

實施例2

一種二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法，包括如下步驟：(1)對擴散爐抽真空，保持爐內溫度420℃；(2)沉積二氧化鈦薄膜，溫度為460℃，以氧氣為反應氣體、氬氣為濺射氣體，濺射靶是直徑為8cm的鈦靶，氧氣流量為10mL/min，氬氣流量為120mL/min，濺射功率200瓦，濺射時間80min；(3)二氧化鈦薄膜樣品在氮氣保護下進行退火處理，溫度為350℃，保溫5min。

實施例3

一種二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法，包括如下步驟：(1)對擴散爐抽真空，保持爐內溫度420℃；(2)沉積二氧化鈦薄膜，溫度為460℃，以氧氣為反應氣體、氬氣為濺射氣體，濺射靶是直徑為8cm的鈦靶，氧氣流量為12mL/min，氬氣流量為110mL/min，濺射功率300瓦，濺射時間180min；(3)二氧化鈦薄膜樣品在氮氣保護下進行退火處理，溫度為350℃，保溫5min。

實施例4

一種二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法，包括如下步驟：(1)對擴散爐抽真空，保持爐內溫度420℃；(2)沉積二氧化鈦薄膜，溫度為460℃，以氧氣為反應氣體、氬氣為濺射氣體，濺射靶是直徑為8cm的鈦靶，氧氣流量為15mL/min，氬氣流量為105L/min，濺射功率250瓦，濺射時間70min；(3)二氧化鈦薄膜樣品在氮氣保護下進行退火處理，溫度為350℃，保溫5min。

實施例5