[發明專利]一種二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法無效
| 申請號： | 201210401652.7 | 申請日： | 2012-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN103000760A | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發明（設計）人： | 張晨;張森林 | 申請（專利權）人： | 江蘇晨電太陽能光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;C23C16/52 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 張惠忠 |
| 地址： | 223700 江蘇省宿*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化 太陽能電池 減反射膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法，其特征在于它包括如下步驟：
(1)對擴散爐抽真空，保持爐內溫度420℃；
(2)沉積二氧化鈦薄膜，溫度為460℃，以氧氣為反應氣體、氬氣為濺射氣體，濺射靶是直徑為8cm的鈦靶，氧氣流量為8-15mL/min，氬氣流量為100-120mL/min，濺射功率200-400瓦，濺射時間4-180min；
(3)二氧化鈦薄膜樣品在氮氣保護下進行退火處理。
2.根據權利要求1所述的二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法，其特征在于所述的步驟(2)氧氣流量為8-12mL/min，氬氣流量為100-110mL/min。
3.根據權利要求2所述的二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法，其特征在于所述的步驟(2)氧氣流量為10mL/min，氬氣流量為100mL/min。
4.根據權利要求1所述的二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法，其特征在于所述的步驟(2)濺射時間50-100min。
5.根據權利要求4所述的二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法，其特征在于所述的步驟(2)濺射時間70min。
6.根據權利要求1所述的二氧化鈦太陽能電池減反射膜的制備方法，其特征在于所述的退火處理的條件為：溫度為350℃，保溫5min。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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