[發明專利]氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板及顯示裝置

無效

• 申請號: 201210401619.4
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN102956714A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 段獻學;白明基
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板及顯示裝置。

背景技術

隨著顯示技術的不斷發展，由于氧化物薄膜晶體管具有電子遷移率高、制備溫度低、均一性好、對可見光透明和閾值電壓低等特點，因此，氧化物薄膜晶體管越來越受到人們的廣泛使用。

現有技術在制造氧化物薄膜晶體管時，由于氧化物薄膜晶體管的氧化物有源層為金屬氧化物，穩定性差，易受到刻蝕環境中氧氣、氫氣及水的影響，因此，為了防止在刻蝕氧化物薄膜晶體管的源極和漏極時氧化物有源層受到影響，增設了ESL(Etch?Stop?Layer，刻蝕阻擋層)以用來保護氧化物有源層。

然而，正是由于增設了ESL，且制作ESL的工藝流程難以控制，若ESL的制作環節控制不到位，例如，制作出的ESL的厚度不均勻，則可能影響氧化物薄膜晶體管的特性，因此，不但導致氧化物薄膜晶體管的制造工藝變得復雜、制造成本增加，而且使得制造陣列基板的產能及良品率降低。

發明內容

本發明的實施例提供氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板及顯示裝置，能夠簡化制造工藝、降低成本，進一步地，提高陣列基板的產能、良品率及穩定性。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明提供一種氧化物薄膜晶體管，包括設置于基板上的柵極、柵絕緣層、源極、漏極，所述源極和漏極之間形成有溝道，還包括：

設置于所述溝道內的氧化物有源層，其中，所述氧化物有源層與所述源極、漏極接觸。

所述氧化物薄膜晶體管具體包括：

設置于所述基板上的所述柵極；

設置于所述柵極上的所述柵絕緣層；

設置于所述柵絕緣層上的所述源極、漏極，所述源極和漏極之間形成有所述溝道；

設置于所述溝道內的氧化物有源層。

所述氧化物薄膜晶體管具體包括：

設置于所述基板上的所述源極、漏極，所述源極和漏極之間形成有所述溝道；

設置于所述溝道內的所述氧化物有源層；

設置于所述源極、漏極和所述氧化物有源層上的所述柵絕緣層；

設置于所述柵絕緣層上的所述柵極。

所述氧化物有源層延伸至所述源極和/或漏極上，以使得所述氧化物有源層與所述源極和/或漏極部分重疊。

所述氧化物有源層的材料為銦鎵鋅氧化物。

本發明還提供一種陣列基板，包括具有上述任意特征的氧化物薄膜晶體管。

本發明還提供一種顯示裝置，包括以上所述的陣列基板。

本發明還提供一種氧化物薄膜晶體管的制造方法，包括在基板上形成柵極、柵絕緣層、源極、漏極，所述源極和漏極之間形成有溝道，還包括：

在所述溝道內形成氧化物有源層，其中，所述氧化物有源層與所述源極、漏極接觸。

所述氧化物薄膜晶體管的制造方法具體包括：

在所述基板上形成所述柵極；

在所述柵極上形成所述柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成所述源極、漏極，所述源極和漏極之間形成有所述溝道；

在所述溝道內形成所述氧化物有源層。

所述氧化物薄膜晶體管的制造方法具體包括：

在所述基板上形成所述源極、漏極，所述源極和漏極之間形成有所述溝道；

在所述溝道內形成所述氧化物有源層；

在所述源極、漏極和所述氧化物有源層上形成所述柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成所述柵極。

本發明實施例提供氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板及顯示裝置，通過在基板上形成柵極、柵絕緣層、源極、漏極，源極和漏極之間形成有溝道，以及在溝道內形成氧化物有源層，以使得氧化物有源層與源極、漏極接觸。通過該方案，由于無需再制作ESL，使得氧化物薄膜晶體管的制造工藝簡化、成本降低，進一步地，也提高了陣列基板的生產產能、良品率及穩定性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的一種氧化物薄膜晶體管的結構示意圖；

圖2為本發明實施例提供的另一種氧化物薄膜晶體管的結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的一種氧化物薄膜晶體管的制造方法流程圖；