[發明專利]氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板及顯示裝置

無效

• 申請號: 201210401619.4
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN102956714A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 段獻學;白明基
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種氧化物薄膜晶體管，包括設置于基板上的柵極、柵絕緣層、源極、漏極，所述源極和漏極之間形成有溝道，其特征在于，還包括：

設置于所述溝道內的氧化物有源層，其中，所述氧化物有源層與所述源極、漏極接觸。

2.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶體管具體包括：

設置于所述基板上的所述柵極；

設置于所述柵極上的所述柵絕緣層；

設置于所述柵絕緣層上的所述源極、漏極，所述源極和漏極之間形成有所述溝道；

設置于所述溝道內的氧化物有源層。

3.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶體管具體包括：

設置于所述基板上的所述源極、漏極，所述源極和漏極之間形成有所述溝道；

設置于所述溝道內的所述氧化物有源層；

設置于所述源極、漏極和所述氧化物有源層上的所述柵絕緣層；

設置于所述柵絕緣層上的所述柵極。

4.根據權利要求1-3中任意一項所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物有源層延伸至所述源極和/或漏極上，以使得所述氧化物有源層與所述源極和/或漏極部分重疊。

5.根據權利要求1-3中任意一項所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物有源層的材料為銦鎵鋅氧化物。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求1-5任一項所述的氧化物薄膜晶體管。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求6所述的陣列基板。

8.一種氧化物薄膜晶體管的制造方法，包括在基板上形成柵極、柵絕緣層、源極、漏極，所述源極和漏極之間形成有溝道，其特征在于，還包括：

在所述溝道內形成氧化物有源層，其中，所述氧化物有源層與所述源極、漏極接觸。

9.根據權利要求8所述的氧化物薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述方法具體包括：

在所述基板上形成所述柵極；

在所述柵極上形成所述柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成所述源極、漏極，所述源極和漏極之間形成有所述溝道；

在所述溝道內形成所述氧化物有源層。

10.根據權利要求8所述的氧化物薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述方法具體包括：

在所述基板上形成所述源極、漏極，所述源極和漏極之間形成有所述溝道；

在所述溝道內形成所述氧化物有源層；

在所述源極、漏極和所述氧化物有源層上形成所述柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成所述柵極。