[發明專利]一種半導體器件的制備方法

有效

• 申請號: 201210399305.5
• 申請日: 2012-10-18
• 公開（公告）號: CN103779216A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 金蘭;涂火金;何有豐
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/20
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制備方法，包括：

提供半導體襯底，至少包含柵極結構；

在所述柵極兩側形成凹槽并在所述凹槽中外延生長SiGeB層，其特征在于，

外延生長SiGe層的同時原位摻雜B，所述外延生長包括兩個階段：

第一階段為增加SiGe層中B的濃度，以使所述SiGe層中B的濃度達到峰值濃度；

第二階段為降低SiGe層中B的濃度，以消除短溝道效應。

2.根據權利要求1所述方法，其特征在于，當所述SiGe層高度達到半導體器件中溝道的位置時，執行第二階段，以降低SiGe層中B的濃度。

3.根據權利要求1所述方法，其特征在于，在所述第一階段和所述第二階段中一直增加SiGe層中Ge的濃度。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述原位摻雜后執行一退火步驟。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延生長SiGe層的溫度為450~700℃。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe層中Ge的含量為15~55%。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe層中B的峰值濃度為5E+19~5E+21原子/cm³。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一階段形成的SiGe層的厚度為45-65nm。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一階段形成的SiGe層中B的濃度梯度為1E+18-1E+19原子/cm³~5E+19-5E+21原子/cm³。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一階段形成的SiGe層中Ge的含量為15-30%~35%-55%。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二階段形成的SiGe層的厚度為15~25nm。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二階段形成的SiGe層中B的濃度梯度為5E19-5E+21原子/cm³~0-1E+19原子/cm³。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括一下步驟：

在形成PMOS中B摻雜的源漏后，在所述源漏上形成蓋帽層，以覆蓋所述SiGeB層。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述蓋帽層為Si層或SiGe層。

15.根據權利要求14所述的方法，其特征在于，所述蓋帽層的厚度為15~20nm。

16.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽為∑形凹槽。

17.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法不執行用于形成源漏的離子注入步驟。