[發明專利]封裝基板的構造及其制造方法

有效

• 申請號: 201210398778.3
• 申請日: 2012-10-18
• 公開（公告）號: CN102903683A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 陸松濤;黃建華;王德峻;羅光淋;方仁廣
• 申請（專利權）人: 日月光半導體（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L21/48
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

技術領域

本發明是有關于一種封裝基板的構造及其制造方法，特別是有關于一種可增加層間導通孔結合可靠度的的封裝基板的構造及其制造方法。

背景技術

現今，半導體封裝產業為了滿足各種高密度及微型化的封裝需求，以供更多有源、無源元件及電路載接，半導體封裝亦逐漸由雙層電路發展出多層電路板(multi-layer?circuit?board)，在有限空間下利用層間連接技術(Interlayerconnection)以擴大半導體封裝基板(substrate)上可供運用的電路布局面積，以達到高電路密度的積體電路需要，降低封裝基板的厚度，以在相同基板單位面積下容納更大量的電路及電子元件。

一般多層電路電路封裝基板主要由多個電路層(circuit?layer)及多個介電層(dielectric?layer)交替迭合所構成。通常電路層是由銅箔層搭配圖案化光刻膠及蝕刻的工藝所制成，一般具有至少一電路及至少一連接墊；而介電層形成于電路層之間，用以保護并隔開各個電路層；且一般各電路層是利用激光鉆孔在介電層上形成激光燒灼孔，之后再用金屬材料將孔填起形成導通孔(via)結構。但由于激光照射加熱的特性，所形成的激光燒灼孔徑通常是一上寬下窄的倒錐狀孔，造成導通孔與連接墊所接觸結合的面積較小。此種結合面積較小的導通孔對于高電流的應用，可能會造成高電阻的限制，因而影響電磁信號傳遞性能，甚至影響導體的可靠性和產品壽命。

再者，另一種形成層間導通的方式則是以圖案化光刻膠搭配電鍍的方式，在圖案化光刻膠裸露的電路層上電鍍形成銅柱(copper?pillar)，接著再移除圖案化光刻膠及壓合介電層，所述銅柱可以是圓柱形或可為其他形狀的柱狀體。此種銅柱通常是有等寬的孔徑，雖較激光鉆孔技術所形成的接觸面積相對較大些，但為了更進一步降低與連接墊之間的結合接觸面的電阻，并提高電磁信號的性能，故仍有必要提供一種封裝基板的構造及其制造方法，以解決現有技術所存在的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種封裝基板的構造，以解決現有技術所存在的電路基板接觸結合面可靠度的問題。

本發明的主要目的在于提供一種封裝基板的構造及其制造方法，其可以通過可調控激光照射搭配圖案化光刻膠層的工藝，實現封裝基板層間結合接觸面積的擴增，進而降低與電路層之間的結合接觸面的電阻，以提高電磁信號的性能。

為達成本發明的前述目的，本發明一實施例提供一種封裝基板的構造，其中所述封裝基板的構造包含：一電路層、至少一導電柱及一介電層。所述電路層具有至少一連接墊。所述導電柱形成于所述連接墊上，所述導電柱具有一第一表面、一第二表面及一側壁連接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面積大于所述第一表面的面積，所述第二表面結合于所述連接墊。所述介電層覆蓋于所述電路層上，并包覆所述導電柱。

再者，本發明另一實施例提供另一種封裝基板的制造方法，其中所述制造方法包含以下步驟：提供一電路層；形成一光刻膠層于所述電路層上；以一可調控光源照射所述光刻膠層以形成至少一開孔，其中所述開孔具有一小孔部，一大孔部及一側孔壁連接所述小孔部和所述大孔部，所述大孔部的面積大于所述小孔部的面積，所述大孔部相對接近所述連接墊；在所述開孔中電鍍上一導電材料，以形成至少一導電柱在所述連接墊上，所述導電柱各具有一第一表面、一第二表面及一側壁連接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面積大于所述第一表面的面積，所述第二表面結合于所述連接墊；移除所述光刻膠層；以及形成一介電層于所述電路層上，并包覆所述導電柱。

與現有技術相比較，本發明的封裝基板的構造，這樣不但可使電路層及導電柱之間的電性連接結構更可靠，還可以確保芯片的信號傳輸效果。

為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1是本發明一實施例封裝基板的剖面示意圖。

圖1A是本發明另一實施例封裝基板的導電柱的局部放大剖面示意圖。

圖1B是本發明又一實施例封裝基板的導電柱的局部放大剖面示意圖。

圖2是本發明再一實施例封裝基板的剖面示意圖。

圖3A-3H是以剖面示意圖的方式表示本發明一實施例制造方法的步驟。

具體實施方式