[發明專利]一種用于接觸孔圖形設計的光學鄰近修正的方法

有效

• 申請號: 201210398044.5
• 申請日: 2012-10-18
• 公開（公告）號: CN103777457A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 王輝;王偉斌
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

技術領域

本發明涉及半導體制造工藝，具體而言涉及一種用于接觸孔圖形設計的光學鄰近修正（OPC）的方法。

背景技術

集成電路已經由大規模、超大規模向甚大規模發展。與此相對應，半導體制造工藝取得了長足的進步，電路的特征尺寸越來越小，已經接近或者小于光刻工藝中的光波長。根據光的干涉和衍射原理，當光把掩膜版圖形照射到硅片上時，圖形將由于相互之間的光學鄰近效應（Optical?Proximity?Effects，OPE）發生變形，從而導致電路性能的降低甚至邏輯錯誤。因此，必須采用一些修正方法來彌補由光學鄰近效應導致的圖形變形，本領域設計人員經常采用的是實用性強且成本較低的OPC方法。

光學鄰近修正的主要過程是：根據光的干涉和衍射原理以及掩膜版圖形的設計形狀，預先在原有的掩膜版圖形上作出修改，從而使曝光后的圖形盡量精確地保證設計形狀和尺寸的重現。一些修正方法是通過預先移動原有圖形的邊來改變原有圖形的形狀和大小以進行光學補償，例如接觸孔圖形。經過上述修正的接觸孔圖形還需通過掩膜規則檢驗（Mask?Rule?Check，MRC），以保證所述圖形可以在掩膜版上實現。但是，由于掩膜規則檢驗的限定，對于接觸孔圖形的上述光學鄰近修正產生影響，導致經過修正的接觸孔圖形在掩膜版上實現之后再轉移到測試硅片上時達不到設計所定的尺寸，從而最終影響整個電路的性能。

因此，需要提出一種方法，以解決上述問題。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供一種用于接觸孔圖形設計的光學鄰近修正的方法，包括：提供具有接觸孔圖形的設計版圖；對所述設計版圖中的接觸孔圖形實施第一光學鄰近修正；判斷經過所述第一光學鄰近修正后的接觸孔圖形是否滿足掩膜規則檢驗的要求，如果經過所述第一光學鄰近修正后的接觸孔圖形不滿足掩膜規則檢驗的要求，則對經過所述第一光學鄰近修正后的接觸孔圖形實施第二光學鄰近修正時，在經過所述第一光學鄰近修正后的接觸孔圖形之間添加另一圖形使兩個鄰近的接觸孔圖形相連接成為一圖形單元；對所述圖形單元進行光刻投影模擬；判斷所述光刻投影模擬得到的接觸孔圖形的尺寸是否與所述設計版圖中的接觸孔圖形的尺寸相一致，如果二者的尺寸不一致，則對所述第二光學鄰近修正進行迭代優化處理，直至二者的尺寸相一致為止。

進一步，如果經過所述第一光學鄰近修正后的接觸孔圖形滿足掩膜規則檢驗的要求，則不實施所述第二光學鄰近修正而直接對經過所述第一光學鄰近修正后的接觸孔圖形進行光刻投影模擬。

進一步，在所述光刻投影模擬之后，還包括判斷所述光刻投影模擬得到的接觸孔圖形的尺寸是否與所述設計版圖中的接觸孔圖形的尺寸相一致的步驟，如果二者的尺寸不一致，則對所述第一光學鄰近修正進行迭代優化處理，直至二者的尺寸相一致為止。

進一步，如果所述光刻投影模擬得到的接觸孔圖形的尺寸與所述設計版圖中的接觸孔圖形的尺寸相一致，則將符合所述光刻投影模擬要求的接觸孔圖形制成測試模板，并將所述測試模板中的接觸孔圖形轉移到測試硅片上加以檢驗。

進一步，所述添加的另一圖形在所述光刻投影模擬時不會顯現出來。

根據本發明，對所述接觸孔圖形進行的光學鄰近修正不會受到掩膜規則檢驗的限制，從而使修正后的接觸孔圖形能夠完全補償光刻模擬時光的干涉和衍射所引起的接觸孔圖形的變形。

附圖說明

本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用于理解本發明。附圖中示出了本發明的實施例及其描述，用來解釋本發明的原理。

附圖中：

圖1A為本發明的實施例例舉的版圖設計所選定的接觸孔圖形的尺寸示意圖；

圖1B為在對圖1A中示出的接觸孔圖形實施光學鄰近修正后不進行掩膜規則檢驗的情況下進行光刻投影模擬得到的尺寸示意圖；

圖1C為在對圖1A中示出的接觸孔圖形實施光學鄰近修正后進行掩膜規則檢驗的情況下進行光刻投影模擬得到的尺寸示意圖；

圖1D為在對圖1A中示出的接觸孔圖形實施本發明提出的光學鄰近修正方法后進行掩膜規則檢驗的情況下進行光刻投影模擬得到的尺寸示意圖；

圖2為應用本發明提出的用于接觸孔圖形設計的光學鄰近修正方法對設計版圖中的接觸孔圖形進行修正的示意性流程圖。

具體實施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本發明更為徹底的理解。然而，對于本領域技術人員而言顯而易見的是，本發明可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發明發生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。