[發明專利]一種用于接觸孔圖形設計的光學鄰近修正的方法

有效

• 申請號: 201210398044.5
• 申請日: 2012-10-18
• 公開（公告）號: CN103777457A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 王輝;王偉斌
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種用于接觸孔圖形設計的光學鄰近修正的方法，包括：

提供具有接觸孔圖形的設計版圖；

對所述設計版圖中的接觸孔圖形實施第一光學鄰近修正；

判斷經過所述第一光學鄰近修正后的接觸孔圖形是否滿足掩膜規則檢驗的要求，如果經過所述第一光學鄰近修正后的接觸孔圖形不滿足掩膜規則檢驗的要求，則對經過所述第一光學鄰近修正后的接觸孔圖形實施第二光學鄰近修正時，在經過所述第一光學鄰近修正后的接觸孔圖形之間添加另一圖形使兩個鄰近的接觸孔圖形相連接成為一圖形單元；

對所述圖形單元進行光刻投影模擬；

判斷所述光刻投影模擬得到的接觸孔圖形的尺寸是否與所述設計版圖中的接觸孔圖形的尺寸相一致，如果二者的尺寸不一致，則對所述第二光學鄰近修正進行迭代優化處理，直至二者的尺寸相一致為止。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，如果經過所述第一光學鄰近修正后的接觸孔圖形滿足掩膜規則檢驗的要求，則不實施所述第二光學鄰近修正而直接對經過所述第一光學鄰近修正后的接觸孔圖形進行光刻投影模擬。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述光刻投影模擬之后，還包括判斷所述光刻投影模擬得到的接觸孔圖形的尺寸是否與所述設計版圖中的接觸孔圖形的尺寸相一致的步驟，如果二者的尺寸不一致，則對所述第一光學鄰近修正進行迭代優化處理，直至二者的尺寸相一致為止。

4.根據權利要求1或3所述的方法，其特征在于，如果所述光刻投影模擬得到的接觸孔圖形的尺寸與所述設計版圖中的接觸孔圖形的尺寸相一致，則將符合所述光刻投影模擬要求的接觸孔圖形制成測試模板，并將所述測試模板中的接觸孔圖形轉移到測試硅片上加以檢驗。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述添加的另一圖形在所述光刻投影模擬時不會顯現出來。