[發明專利]像素單元及主動矩陣式平面顯示裝置

無效

• 申請號: 201210397891.X
• 申請日: 2012-10-18
• 公開（公告）號: CN102881249A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 王金杰
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G09G3/20
• 分類號: G09G3/20;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種像素單元及主動矩陣式平面顯示裝置。

背景技術

請參閱圖1，圖1為現有技術的主動矩陣式平面顯示裝置的結構示意圖。如圖1所示，主動矩陣式平面顯示裝置10包括多個像素單元，每個像素單元包括一個薄膜晶體管，例如，像素單元P1包括薄膜晶體管T1，像素單元P2包括薄膜晶體管T2。

在主動矩陣式平面顯示裝置10的制作過程中，由于曝光機精度原因，容易在不同的曝光位置出現薄膜晶體管的漏極相對于其柵極的覆蓋偏移（overlay?shift），使得在主動矩陣式平面顯示裝置10不同位置處的薄膜晶體管具有不同的寄生電容。

以圖1中所示的像素單元P1和P2為例，請參閱圖2，圖2為薄膜晶體T1和薄膜晶體管T2的放大圖，如圖2所示，薄膜晶體管T1的柵極和漏極的重疊面積所形成的寄生電容為C_gd?1，薄膜晶體管T2的柵極和漏極的重疊面積所形成的寄生電容為C_gd?2，由于薄膜晶體管T1和T2的柵極和漏極的重疊面積（如圖中虛線所示的面積）不一致，導致C_gd1≠C_gd?2，因此導致像素單元P1和P2之間的灰度顯示不均勻，從而產生不均勻（Mura）、閃爍（Flicker）等顯示缺陷。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種像素單元及主動矩陣式平面顯示裝置，能夠維持主動矩陣式平面顯示裝置中每個像素單元內的薄膜晶體管組的寄生電容不變，從而避免產生顯示缺陷。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種像素單元，該像素單元包括：平行間隔設置的第一掃描線和第二掃描線；數據線，與第一掃描線和第二掃描線相交設置；像素電極，分別與第一掃描線、第二掃描線和數據線電連接；薄膜晶體管組，分別與第一掃描線、第二掃描線、數據線和像素電極電連接；其中，薄膜晶體管組包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，薄膜晶體管組的寄生電容C_gd滿足以下關系式：C_gd=C1+C2；其中，C1為第一薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產生的電容，C2為第二薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產生的電容，且C1和C2的變化趨勢相反，變化量相同，使得C_gd的值保持不變。

其中，第一薄膜晶體管的柵極連接第一掃描線，第一薄膜晶體管的源極連接數據線，第一薄膜晶體管的漏極和像素電極通過第一導通孔電連接；第二薄膜晶體管的柵極連接第二掃描線，第二薄膜晶體管的源極連接數據線，第二薄膜晶體管的漏極和像素電極通過第二導通孔電連接。

其中，第一掃描線和第二掃描線首尾互相連接，并傳輸相同的掃描驅動信號。

其中，第一導通孔和第二導通孔分別設置在像素電極的對角位置處。

其中，像素單元包括一中線，中線與數據線平行并把像素單元的面積平分，第一導通孔和第二導通孔分別設置在中線的兩側，并且第一導通孔到中線的垂直距離等于第二導通孔到中線的垂直距離。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種主動矩陣式平面顯示裝置，該主動矩陣式平面顯示裝置包括顯示區域和非顯示區域，該顯示區域設置有多個像素單元，該像素單元包括：平行間隔設置的第一掃描線和第二掃描線；數據線，與第一掃描線和第二掃描線相交設置；像素電極，分別與第一掃描線、第二掃描線和數據線電連接；薄膜晶體管組，分別與第一掃描線、第二掃描線、數據線和像素電極電連接；其中，薄膜晶體管組包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，薄膜晶體管組的寄生電容C_gd滿足以下關系式：C_gd＝C1+C2；其中，C1為第一薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產生的電容，C2為第二薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產生的電容，且C1和C2的變化趨勢相反，變化量相同，使得C_gd的值保持不變。

其中，第一薄膜晶體管的柵極連接第一掃描線，第一薄膜晶體管的源極連接數據線，第一薄膜晶體管的漏極和像素電極通過第一導通孔電連接；第二薄膜晶體管的柵極連接第二掃描線，第二薄膜晶體管的源極連接數據線，第二薄膜晶體管的漏極和像素電極通過第二導通孔電連接。

其中，第一掃描線和第二掃描線在非顯示區域首尾互相連接，并傳輸相同的掃描驅動信號。

其中，第一導通孔和第二導通孔分別設置在像素電極的對角位置處。