[發明專利]像素單元及主動矩陣式平面顯示裝置無效
| 申請號: | 201210397891.X | 申請日: | 2012-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN102881249A | 公開(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發明(設計)人: | 王金杰 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/20 | 分類號: | G09G3/20;H01L29/786 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光明新區公*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 單元 主動 矩陣 平面 顯示裝置 | ||
1.一種像素單元,其特征在于,所述像素單元包括:
平行間隔設置的第一掃描線和第二掃描線;
數據線,與所述第一掃描線和所述第二掃描線相交設置;
像素電極,分別與所述第一掃描線、所述第二掃描線和所述數據線電連接;
薄膜晶體管組,分別與所述第一掃描線、所述第二掃描線、所述數據線和所述像素電極電連接;
其中,所述薄膜晶體管組包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,所述薄膜晶體管組的寄生電容Cgd滿足以下關系式:
Cgd=C1+C2;
其中,C1為所述第一薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產生的電容,C2為所述第二薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產生的電容,且所述C1和C2的變化趨勢相反,變化量相同,使得所述Cgd的值保持不變。
2.根據權利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述第一薄膜晶體管的柵極連接所述第一掃描線,所述第一薄膜晶體管的源極連接所述數據線,所述第一薄膜晶體管的漏極和所述像素電極通過第一導通孔電連接;所述第二薄膜晶體管的柵極連接所述第二掃描線,所述第二薄膜晶體管的源極連接所述數據線,所述第二薄膜晶體管的漏極和所述像素電極通過第二導通孔電連接。
3.根據權利要求2所述的像素單元,其特征在于,所述第一掃描線和所述第二掃描線首尾互相連接,并傳輸相同的掃描驅動信號。
4.根據權利要求2所述的像素單元,其特征在于,所述第一導通孔和所述第二導通孔分別設置在所述像素電極的對角位置處。
5.根據權利要求2所述的像素單元,其特征在于,所述像素單元包括一中線,所述中線與所述數據線平行并把所述像素單元的面積平分,所述第一導通孔和所述第二導通孔分別設置在所述中線的兩側,并且所述第一導通孔到所述中線的垂直距離等于所述第二導通孔到所述中線的垂直距離。
6.一種主動矩陣式平面顯示裝置,所述主動矩陣式平面顯示裝置包括顯示區域和非顯示區域,所述顯示區域設置有多個像素單元,其特征在于,所述像素單元包括:
平行間隔設置的第一掃描線和第二掃描線;
數據線,與所述第一掃描線和所述第二掃描線相交設置;
像素電極,分別與所述第一掃描線、所述第二掃描線和所述數據線電連接;
薄膜晶體管組,分別與所述第一掃描線、所述第二掃描線、所述數據線和所述像素電極電連接;
其中,所述薄膜晶體管組包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,所述薄膜晶體管組的寄生電容Cgd滿足以下關系式:
Cgd=C1+C2;
其中,C1為所述第一薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產生的電容,C2為所述第二薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產生的電容,且所述C1和C2的變化趨勢相反,變化量相同,使得所述Cgd的值保持不變。
7.根據權利要求6所述的主動矩陣式平面顯示裝置,其特征在于,所述第一薄膜晶體管的柵極連接所述第一掃描線,所述第一薄膜晶體管的源極連接所述數據線,所述第一薄膜晶體管的漏極和所述像素電極通過第一導通孔電連接;所述第二薄膜晶體管的柵極連接所述第二掃描線,所述第二薄膜晶體管的源極連接所述數據線,所述第二薄膜晶體管的漏極和所述像素電極通過第二導通孔電連接。
8.根據權利要求7所述的主動矩陣式平面顯示裝置,其特征在于,所述第一掃描線和所述第二掃描線在非顯示區域首尾互相連接,并傳輸相同的掃描驅動信號。
9.根據權利要求7所述的主動矩陣式平面顯示裝置,其特征在于,所述第一導通孔和所述第二導通孔分別設置在所述像素電極的對角位置處。
10.根據權利要求7所述的主動矩陣式平面顯示裝置,其特征在于,所述像素單元包括一中線,所述中線與所述數據線平行并把所述像素單元的面積平分,所述第一導通孔和所述第二導通孔分別設置在所述中線的兩側,并且所述第一導通孔到所述中線的垂直距離等于所述第二導通孔到所述中線的垂直距離。
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