[發明專利]發光器件及其制造方法和使用該發光器件的發光器件模塊

無效

• 申請號: 201210397260.8
• 申請日: 2012-10-18
• 公開（公告）號: CN103066180A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 白好善;金學煥;崔一興;文敬美
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

1.一種發光器件，包括：

順序形成在發光襯底上的第一半導體層、有源層、和第二半導體層；

形成在所述第一半導體層的凹陷區域中的第一電極，所述第一半導體層的凹陷區域是通過去除所述第一半導體層的一部分形成的；

形成在所述第二半導體層上的第二電極；

形成在所述第一電極和所述第二電極上以暴露出所述第一電極的一個區域和所述第二電極的一個區域的鈍化層；

形成在第一區域中的第一突塊，所述第一區域包括經所述鈍化層暴露出來的第一電極并且所述第一區域延伸到所述第二電極的在其上形成有所述鈍化層的另外區域；以及

形成在第二區域中的第二突塊，所述第二區域包括經所述鈍化層暴露出來的第二電極。

2.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第二電極包括：

形成在所述第二半導體層上的多個電極焊盤；以及

形成在所述多個電極焊盤上的中間連接焊盤。

3.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一區域和所述第二區域在所述第二半導體層上左右對稱。

4.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一突塊和所述第二突塊基于所述第二半導體層具有相同的高度。

5.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一區域和所述第二區域具有相同的面積。

6.一種制造發光器件的方法，所述方法包括步驟：

在發光襯底上順序形成第一半導體層、有源層、和第二半導體層；

去除所述第一半導體層的一部分以在所述第一半導體層內形成凹陷；

在所述第一半導體層的凹陷內形成第一電極；

在所述第二半導體層上形成第二電極；

在所述第一電極和所述第二電極上形成鈍化層；

刻蝕所述鈍化層以暴露所述第一電極的一個區域和所述第二電極的一個區域；

在第一區域中形成第一突塊，所述第一區域包括經所述鈍化層暴露出來的第一電極并且所述第一區域延伸到所述第二電極的在其上形成有所述鈍化層的另外區域；以及

在第二區域中形成第二突塊，所述第二區域包括經所述鈍化層暴露出來的第二電極。

7.如權利要求6所述的方法，其中形成所述第二電極的步驟包括：

在所述第二半導體層上形成多個電極焊盤；以及

在所述多個電極焊盤上形成中間連接焊盤。

8.如權利要求6所述的方法，其中形成所述第一突塊和形成所述第二突塊的步驟包括：

在所述第二半導體層上布置掩模，該掩模在對應于所述第一區域和所述第二區域的位置處有孔；以及

在所述孔上絲網印刷金屬材料。

9.如權利要求6所述的方法，其中形成所述第一突塊和形成所述第二突塊的步驟包括：在所述第一區域和所述第二區域中使焊球突出。

10.如權利要求6所述的方法，其中所述第一區域和所述第二區域在所述第二半導體層上左右對稱。

11.如權利要求6所述的方法，其中形成所述第一突塊的步驟包括將所述第一突塊形成為基于所述第二半導體層與所述第二突塊具有相同的高度。

12.如權利要求6所述的方法，其中所述第一區域和所述第二區域具有相同的面積。

13.如權利要求6所述的方法，其中所述鈍化層由從包括以下物質的組中任選的一種來形成，這些物質為氧化硅（SiO_x）、氮化硅（SiN_x）、以及氮氧化硅（SiO_xN_y）。