[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制造方法和使用該發(fā)光器件的發(fā)光器件模塊

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210397260.8
• 申請(qǐng)日: 2012-10-18
• 公開（公告）號(hào): CN103066180A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白好善;金學(xué)煥;崔一興;文敬美
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2011年10月18日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2011-0106294的優(yōu)先權(quán)，該項(xiàng)專利申請(qǐng)的內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的總體思想涉及發(fā)光器件（LED）及其制造方法，以及使用該發(fā)光器件的LED模塊，更具體地涉及具有突塊結(jié)構(gòu)的LED及其制造方法以及使用這種LED的LED模塊，其中具有突塊結(jié)構(gòu)的LED用以對(duì)在倒裝片接合工藝期間LED與襯底之間的接合性能進(jìn)行改進(jìn)。

背景技術(shù)

發(fā)光器件（LED）指的是可以通過形成發(fā)光源來發(fā)出各種顏色的光的半導(dǎo)體器件，其中各種顏色的光是通過改變化合物半導(dǎo)體的材料來實(shí)現(xiàn)的，這些化合物半導(dǎo)體的材料例如是砷化鎵（GaAs）、鋁砷化鎵（AlGaAs）、氮化鎵（GaN）、磷化鎵銦（GaInP）等。可以以模塊形式來制造LED。

傳統(tǒng)的LED模塊是通過將LED安裝在封裝襯底上以制成為封裝件形式、并將該LED封裝接合到襯底上來制造的。然而，這種對(duì)傳統(tǒng)LED模塊的LED進(jìn)行的封裝工藝不僅導(dǎo)致了制造時(shí)間和制造成本的增加，還導(dǎo)致了模塊總尺寸的增加。為了解決這些問題，已經(jīng)開發(fā)出了一種將LED直接接合到襯底上的板上芯片（COB）型LED模塊。

COB型LED模塊是通過使用突塊將LED接合在包括金屬圖案的襯底上而制成的。然而，由于形成在LED中的至少兩個(gè)突塊具有不同的高度、面積和形狀，所以降低了襯底與LED之間的接合性能。因此，由于芯片分離會(huì)使LED模塊的可靠性降低，并且由于接合面積的減小會(huì)使散熱效率降低。

發(fā)明內(nèi)容

總的來說，本發(fā)明思想提供了一種具有突塊結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件（LED）及其制造方法以及一種使用該LED的LED模塊，其中具有突塊結(jié)構(gòu)的LED用以對(duì)在倒裝片接合工藝期間LED與襯底之間的接合性能進(jìn)行改進(jìn)。

本發(fā)明總體思想的其它特征和用途在某種程度上會(huì)通過以下說明書得以闡明，并且在某種程度上，通過說明書將是顯而易見的，或者通過對(duì)本發(fā)明總體思想的實(shí)踐是可以被了解的。

本發(fā)明總體思想的前述和/或其它特征和用途是通過提供包含以下特征的LED來實(shí)現(xiàn)的，所述LED包括：順序形成在發(fā)光襯底上的第一半導(dǎo)體層、有源層、和第二半導(dǎo)體層；形成在所述第一半導(dǎo)體層的凹陷區(qū)域中的第一電極，所述第一半導(dǎo)體層的凹陷區(qū)域是通過去除所述第一半導(dǎo)體層的一部分形成的；形成在所述第二半導(dǎo)體層上的第二電極；形成在所述第一電極和所述第二電極上以暴露出所述第一電極的一個(gè)區(qū)域和所述第二電極的一個(gè)區(qū)域的鈍化層；形成在第一區(qū)域中的第一突塊，所述第一區(qū)域包括經(jīng)所述鈍化層暴露出來的第一電極并且所述第一區(qū)域延伸到所述第二電極的在其上形成有所述鈍化層的另外區(qū)域；以及形成在第二區(qū)域中的第二突塊，所述第二區(qū)域包括經(jīng)所述鈍化層暴露出來的第二電極。

所述第二電極可以包括形成在所述第二半導(dǎo)體層上的多個(gè)電極焊盤，以及形成在所述多個(gè)電極焊盤上的中間連接焊盤。

所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域可以在所述第二半導(dǎo)體層上左右對(duì)稱。

所述第一突塊和所述第二突塊可以基于所述第二半導(dǎo)體層具有相同的高度。

所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域可以具有相同的面積。

本發(fā)明總體思想的前述和/或其它特征和用途還可以通過提供一種制造LED的方法來實(shí)現(xiàn)，所述方法包括步驟：在發(fā)光襯底上順序形成第一半導(dǎo)體層、有源層、和第二半導(dǎo)體層；去除所述第一半導(dǎo)體層的一部分以在所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)形成凹陷；在所述第一半導(dǎo)體層的凹陷內(nèi)形成第一電極；在所述第二半導(dǎo)體層上形成第二電極；在所述第一電極和所述第二電極上形成鈍化層；刻蝕所述鈍化層以暴露所述第一電極的一個(gè)區(qū)域和所述第二電極的一個(gè)區(qū)域；在第一區(qū)域中形成第一突塊，所述第一區(qū)域包括經(jīng)所述鈍化層暴露出來的第一電極并且所述第一區(qū)域延伸到所述第二電極的在其上形成有所述鈍化層的另外區(qū)域；以及在第二區(qū)域中形成第二突塊，所述第二區(qū)域包括經(jīng)所述鈍化層暴露出來的第二電極。

形成所述第二電極的步驟可以包括在所述第二半導(dǎo)體層上形成多個(gè)電極焊盤,以及在所述多個(gè)電極焊盤上形成中間連接焊盤。

形成所述第一突塊和形成所述第二突塊的步驟可以包括在所述第二半導(dǎo)體層上布置掩模，該掩模在對(duì)應(yīng)于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的位置處有孔，以及在所述孔上絲網(wǎng)印刷金屬材料。

形成所述第一突塊和形成所述第二突塊的步驟可以包括在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中使焊球突出。

所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域可以在所述第二半導(dǎo)體層上左右對(duì)稱。