[發明專利]處理腔氣密性檢測裝置及檢測方法

無效

• 申請號: 201210396294.5
• 申請日: 2012-10-17
• 公開（公告）號: CN102914412A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 吳敏;王旭東
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G01M3/26
• 分類號: G01M3/26
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，包括：處理腔殼體；處于開啟狀態的與處理腔殼體對應的處理腔頂蓋；位于所述處理腔殼體的開口上的平面密封板，所述平面密封板的形狀、尺寸與處理腔殼體的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板和所述處理腔殼體形成密封腔體；對所述密封腔體的氣壓進行檢測的氣壓監測單元；與密封腔體對應的抽氣單元；與所述氣壓監測單元、抽氣單元相連接的控制單元，所述抽氣單元對所述密封腔體進行抽氣后，利用氣壓監測單元、抽氣單元和控制單元判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格，從而判斷出泄露位置是否位于處理腔殼體位置。

2.如權利要求1所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，利用氣壓監測單元對所述密封腔體內的氣壓變化進行檢測，利用控制單元根據確定抽氣量對應的氣壓值或密封腔體內的氣壓變化值判斷所述密封腔體的氣密性是否合格。

3.如權利要求1所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述抽氣單元為位于所述處理腔殼體上的抽氣口及對應的抽氣泵。

4.如權利要求1所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述氣壓監測單元位于所述處理腔殼體上。

5.如權利要求1所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述控制單元位于所述半導體處理設備內，利用確定抽氣量對應的氣壓值或氣壓監測單元測得的密封腔體內的氣壓變化值判斷所述密封腔體的氣密性是否合格。

6.如權利要求1所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述平面密封板的尺寸大于所述處理腔殼體的開口的尺寸。

7.如權利要求1所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述平面密封板相對應于處理腔殼體的開口的一面光滑平整，所述處理腔殼體的開口光滑且處于同一平面。

8.如權利要求1所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述平面密封板的材料為亞克力或鋼化玻璃。

9.如權利要求1所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述平面密封板的厚度范圍大于或等于5厘米。

10.如權利要求1所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述平面密封板具有輔助手持部件。

11.如權利要求1所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述平面密封板還包括聯軸閥，用于在檢測完成后使密封腔體內的氣壓恢復到常壓。

12.如權利要求1所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述處理腔頂蓋具有進氣單元。

13.如權利要求1所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述半導體處理設備為等離子體刻蝕設備、化學氣相沉積設備、氧化設備或離子注入設備。

14.一種利用如權利要求1至13任意一項所述的處理腔氣密性檢測裝置進行檢的檢測方法，其特征在于，包括：

開啟處理腔頂蓋，將平面密封板放置在處理腔殼體的開口上，使得所述處理腔殼體和平面密封板形成封閉腔體；

對所述封閉腔體進行抽氣；

利用氣壓監測單元、抽氣單元和控制單元判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格；

當所述封閉腔體的氣密性合格，表明反應腔的泄露位置位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置；當所述封閉腔體的氣密性不合格，表明反應腔的泄露位置位于處理腔殼體位置。

15.如權利要求14所述的檢測方法，其特征在于，對所述封閉腔體進行抽氣后，利用氣壓監測單元對剛抽氣完的封閉腔體進行測試獲得第一氣壓值；經過預定時間后對所述封閉腔體進行測試獲得第二氣壓值，所述氣壓監測單元將兩個氣壓值傳送給所述控制單元，所述控制單元根據預定時間內封閉腔體的兩個氣壓值之間的氣壓變化值是否超過預定差值，判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格。

16.如權利要求15所述的檢測方法，其特征在于，控制抽氣單元在單位時間內的抽氣量和總的抽氣時間，利用氣壓監測單元對剛抽氣完的封閉腔體進行測試獲得第三氣壓值，將所述第三氣壓值傳送給所述控制單元，所述控制單元將所述第三氣壓值與預定氣壓值進行比較，判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格，所述預定氣壓值為氣密性良好的封閉腔體在相同條件下進行抽氣后測得的氣壓值。