[發明專利]處理腔氣密性檢測裝置及檢測方法

無效

• 申請號: 201210396294.5
• 申請日: 2012-10-17
• 公開（公告）號: CN102914412A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 吳敏;王旭東
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G01M3/26
• 分類號: G01M3/26
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及半導體處理設備領域，特別涉及一種處理腔氣密性檢測裝置及檢測方法。

背景技術

在現有的半導體處理設備中，例如刻蝕設備、沉積設備中，反應腔內往往需要形成亞常壓、低壓或真空的環境，對反應腔的密閉性要求很高。如果密閉性不佳，會嚴重影響這些設備的工作效率和可靠性，甚至很可能造成處理的芯片損毀，因此，對這些半導體處理設備進行密閉性檢查變得非常必要。

目前檢測半導體處理設備的密閉性的方法一般為氣密性檢測，即將一定量的氣體通入到半導體處理設備的處理腔中，經過一定的時間后，檢測所述處理腔的氣壓變化量是否超過預定的最大氣壓差值，從而判斷所述處理腔的密封性是否合格。更多關于密封性檢測裝置請參考授權公告號為CN201754118U的中國專利文獻。

但是現有的半導體處理設備的處理腔往往包括處理腔殼體和對應的處理腔頂蓋兩個部分，所述處理腔頂蓋連接有進氣單元，所述處理腔殼體連接有抽氣單元，其中所述處理腔殼體和處理腔頂蓋的接觸處、進氣單元、抽氣單元都可能發生泄漏。而利用現有的檢測裝置不能快速地分辨出半導體處理設備的反應腔內哪一部分發生泄漏，需要對每個可能發生泄漏的位置進行排查，導致最終排除故障的時間較長。

發明內容

本發明解決的問題是提供了一種處理腔氣密性檢測裝置及檢測方法，可以快速方便地判斷出泄露位置是位于處理腔殼體位置，還是位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置。

為解決上述問題，本發明技術方案提供了一種處理腔氣密性檢測裝置，包括：處理腔殼體；處于開啟狀態的與處理腔殼體對應的處理腔頂蓋；位于所述處理腔殼體的開口上的平面密封板，所述平面密封板的形狀、尺寸與處理腔殼體的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板和所述處理腔殼體形成密封腔體；對所述密封腔體的氣壓進行檢測的氣壓監測單元；與密封腔體對應的抽氣單元；與所述氣壓監測單元、抽氣單元相連接的控制單元，所述抽氣單元對所述密封腔體進行抽氣后，利用氣壓監測單元、抽氣單元和控制單元判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格，從而判斷出泄露位置是否位于處理腔殼體位置。

可選的，利用氣壓監測單元對所述密封腔體內的氣壓變化進行檢測，控制單元根據確定抽氣量對應的氣壓值或密封腔體內的氣壓變化值判斷所述密封腔體的氣密性是否合格。

可選的，所述抽氣單元為位于所述處理腔殼體上的抽氣口及對應的抽氣泵。

可選的，所述氣壓監測單元位于所述處理腔殼體上。

可選的，所述控制單元位于所述半導體處理設備內，利用確定抽氣量對應的氣壓值或氣壓監測單元測得的密封腔體內的氣壓變化值判斷所述密封腔體的氣密性是否合格。

可選的，所述平面密封板的尺寸大于所述處理腔殼體的開口的尺寸。

可選的，所述平面密封板相對應與處理腔殼體的開口的一面光滑平整。

可選的，所述平面密封板的材料為亞克力或鋼化玻璃。

可選的，所述平面密封板的厚度范圍大于或等于5厘米。

可選的，所述平面密封板具有輔助手持部件。

可選的，所述平面密封板還包括聯軸閥，用于在檢測完成后使密封腔體內的氣壓恢復到常壓。

可選的，所述處理腔頂蓋具有進氣單元。

可選的，所述半導體處理設備為等離子體刻蝕設備、化學氣相沉積設備、氧化設備或離子注入設備。

本發明技術方案還提供了一種利用所述處理腔氣密性檢測裝置進行檢測的檢測方法，包括：開啟處理腔頂蓋，將平面密封板放置在處理腔殼體的開口上，使得所述處理腔殼體和平面密封板形成封閉腔體；對所述封閉腔體進行抽氣；利用氣壓監測單元、抽氣單元和控制單元判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格；當所述封閉腔體的氣密性合格，表明反應腔的泄露位置位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置；當所述封閉腔體的氣密性不合格，表明反應腔的泄露位置位于處理腔殼體位置。

可選的，對所述封閉腔體進行抽氣后，利用氣壓監測單元對剛抽氣完的封閉腔體進行測試獲得第一氣壓值；經過預定時間后對所述封閉腔體進行測試獲得第二氣壓值，所述氣壓監測單元將兩個氣壓值傳送給所述控制單元，所述控制單元根據預定時間內封閉腔體的兩個氣壓值之間的氣壓變化值是否超過預定差值，判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格。