[發(fā)明專利]用于存儲器器件的內置自測試和自修復方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210395297.7
• 申請日: 2012-10-17
• 公開（公告）號: CN103578562B
• 公開（公告）日: 2016-11-16
• 發(fā)明（設計）人: 薩曼·M·I·阿扎姆;洪照榮
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12;G11C29/44
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

本申請涉及2011年11月8日提交的、名稱為“Mechanisms?for?Built-InSelf?Repair?of?Memory?Devices”的美國專利申請13/291,747(代理人編號TSMC2011-0291/T5057-Y525UB)，以及2011年11月8日提交的、名稱為“Mechanisms?for?Built-In?Self?Repair?of?Memory?Devices?Using?Failed?BitMaps?and?Obvious?Repairs”的美國專利申請13/291,620(代理人編號TSMC2011-0468/T5057-Y525U)，以及2011年11月8日提交的、名稱為“Mechanisms?for?Built-In?Self?Repair?of?Memory?Devices?Using?Failed?BitMaps?and?Obvious?Repairs”的美國專利申請13/291,707(代理人編號TSMC2011-0467/T5057-Y525UA)。上述申請在此通過全文引用并入本申請中。

技術領域

本發(fā)明總體上涉及存儲器的自測試和自修復。

背景技術

由于各種電子元件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器，等)的集成密度不斷提高，集成電路已經(jīng)歷了持續(xù)且快速的增長。在大多數(shù)情況下，集成密度的提高來自對最小部件的尺寸再三縮小，從而使得在給定的芯片面積中集成更多的元件。

集成元件所占用的空間與半導體晶圓的表面相近。盡管來自光刻技術的顯著提高使得二維(2D)集成電路形成方面有了巨大的提高，然而在二維空間中所能達到的密度受物理限制。限制之一是用于制造這些元件所需的最小尺寸。此外，當一個芯片中放入更多的器件，需要更復雜的設計。另外一個額外的限制是，隨著器件數(shù)量增加，器件之間的互連件的數(shù)量及長度呈顯著增長。當互連件的數(shù)量及長度增加時，電路的RC延遲及功耗增大。因而，三維集成電路(3DIC)得到推薦，在三維集成電路中，管芯可堆疊，并且引線接合，倒裝芯片接合，以及/或者硅通孔(TSV)被用于將管芯堆疊在一起并將管芯連接到封裝襯底。

在當前的三維集成電路(3DIC)實施方面，存儲器，無論是易失性還是非易失性存儲器，在最廣泛使用的核心中。存儲器可以以存儲器管芯與獨立的邏輯管芯相集成的形式而存在，或以成為邏輯管芯的一部分的嵌入式存儲器的形成而存在。高級存儲器管芯以及嵌入式存儲器器件都具有高器件密度并占用大片的芯片面積。存儲器管芯或嵌入式存儲器具有缺陷的可能性較高。因而，存儲器管芯或嵌入式存儲器器成為管芯領域中的一個控制因素。3DIC生產(chǎn)涉及管芯封裝以及封裝管芯的接合。封裝以及接合工藝影響最終產(chǎn)品的成品率。

發(fā)明內容

為了解決現(xiàn)有技術中所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種在一次性編程存儲器(OTPM)中存儲隨機存取存儲器(RAM)陣列的修復數(shù)據(jù)的方法，所述方法包括：

使用內置自測試和自修復(BISTR)模塊進行所述RAM陣列的第一測試和修復以確定用于所述RAM陣列的第一修復數(shù)據(jù)，其中所述RAM陣列具有用于修復的冗余行和列；

將所述RAM陣列的所述第一修復數(shù)據(jù)存儲在所述OTPM中；

將所述第一修復數(shù)據(jù)裝載到所述RAM陣列的修復存儲器中；

將所述第一修復數(shù)據(jù)裝載到所述BISTR模塊的修復存儲器以及副本修復存儲器中；

進行所述RAM陣列的第二測試和修復以確定未包括在所述第一修復數(shù)據(jù)中的故障位的第二修復數(shù)據(jù)；

將所述第二修復數(shù)據(jù)存儲在所述BISTR模塊的修復存儲器中以及所述RAM陣列的修復存儲器中；

使用XOR門對所述BISTR模塊的修復存儲器以及副本修復存儲器中的修復數(shù)據(jù)進行處理；

將所述XOR門的輸出存儲到所述RAM陣列的修復存儲器中；以及

將所述修復存儲器的內容存儲到所述OTPM中。

在可選實施例中，所述XOR門的輸出使所述第一修復數(shù)據(jù)成為空以及保存所述第二修復數(shù)據(jù)，并將所述第二修復數(shù)據(jù)存儲為與所述OTPM中的所述第一修復數(shù)據(jù)相鄰。

在可選實施例中，所述方法還包括：對具有所述RAM陣列的管芯進行封裝操作。

在可選實施例中，所述方法還包括對第二RAM進行權利要求1所述的步驟，其中，將所述第二RAM的修復數(shù)據(jù)存儲在所述OTPM中的單獨分段中。