[發(fā)明專利]用于存儲器器件的內(nèi)置自測試和自修復方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210395297.7
• 申請日: 2012-10-17
• 公開（公告）號: CN103578562B
• 公開（公告）日: 2016-11-16
• 發(fā)明（設計）人: 薩曼·M·I·阿扎姆;洪照榮
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12;G11C29/44
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種在一次性編程存儲器(OTPM)中存儲隨機存取存儲器(RAM)

陣列的修復數(shù)據(jù)的方法，所述方法包括：

使用內(nèi)置自測試和自修復(BISTR)模塊進行所述RAM陣列的第一測試和修復以確定用于所述RAM陣列的第一修復數(shù)據(jù)，其中所述RAM陣列具有用于修復的冗余行和列；

將所述RAM陣列的所述第一修復數(shù)據(jù)存儲在所述OTPM中；

將所述第一修復數(shù)據(jù)裝載到所述RAM陣列的修復存儲器中；

將所述第一修復數(shù)據(jù)裝載到所述BISTR模塊的修復存儲器以及副本修復存儲器中；

進行所述RAM陣列的第二測試和修復以確定未包括在所述第一修復數(shù)據(jù)中的故障位的第二修復數(shù)據(jù)；

將所述第二修復數(shù)據(jù)存儲在所述BISTR模塊的修復存儲器中以及所述RAM陣列的修復存儲器中；

使用XOR門對所述BISTR模塊的修復存儲器以及副本修復存儲器中的修復數(shù)據(jù)進行處理；

將所述XOR門的輸出存儲到所述RAM陣列的修復存儲器中；以及

將所述修復存儲器的內(nèi)容存儲到所述OTPM中。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述XOR門的輸出使所述第一修復數(shù)據(jù)成為空以及保存所述第二修復數(shù)據(jù)，并將所述第二修復數(shù)據(jù)存儲為與所述OTPM中的所述第一修復數(shù)據(jù)相鄰。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括：

對具有所述RAM陣列的管芯進行封裝操作。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括對第二RAM進行權利要求1所述的步驟，其中，將所述第二RAM的修復數(shù)據(jù)存儲在所述OTPM中的單獨分段中。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，所述第二RAM陣列經(jīng)歷測試及修復，以在所述第一修復數(shù)據(jù)或所述第二修復數(shù)據(jù)被發(fā)送到所述OTPM前收集額外的修復數(shù)據(jù)。

6.一種用于在一次性編程存儲器(OTPM)中存儲隨機存取存儲器(RAM)陣列的修復數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：

所述RAM陣列，所述RAM陣列包括主存儲器、冗余行和列、以及第一修復寄存器存儲器；

具有第二修復寄存器存儲器的內(nèi)置自測試和自修復(BISTR)模塊，其中所述BISTR模塊用于測試和修復所述RAM陣列；以及

所述一次性編程存儲器(OTPM)，用于為所述RAM陣列存儲來自多于一個的測試和修復階段的修復數(shù)據(jù)，其中，來自不同測試和修復階段的所述修復數(shù)據(jù)存儲在同一數(shù)據(jù)分段中。

7.根據(jù)權利要求6所述的系統(tǒng)，其中，所述BISTR模塊的所述第二修復寄存器存儲器包括修復寄存器分段以及副本修復寄存器分段；以及其中，所述BISTR模塊具有XOR門，所述XOR門具有來自所述修復寄存器分段的一個輸入以及來自所述副本修復寄存器分段的另一輸入。

8.根據(jù)權利要求6所述的系統(tǒng)，其中，所述XOR門被配置成通過連接線將輸出發(fā)送至所述第一修復寄存器存儲器。

9.根據(jù)權利要求6所述的系統(tǒng)，其中，所述RAM陣列是靜態(tài)RAM(SRAM)、動態(tài)RAM(DRAM)、磁阻式RAM(MRAM)或閃存。

10.一種在一次性編程存儲器(OTPM)中存儲隨機存取存儲器(RAM)陣列的修復數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：

所述RAM陣列，其中所述RAM陣列包括主存儲器、冗余行和列、以及第一修復寄存器存儲器；

具有第二修復寄存器存儲器的內(nèi)置自測試和自修復(BISTR)模塊，其中所述BISTR模塊用于測試和修復所述RAM陣列，所述第二修復寄存器存儲器包括修復寄存器分段以及副本修復寄存器分段，以及所述BISTR模塊具有XOR門，所述XOR門具有來自所述修復寄存器分段的一個輸入以及來自所述副本修復寄存器分段的另一輸入；以及

所述一次性編程存儲器(OTPM)，配置成用于為所述RAM陣列存儲來自多于一次的測試和修復階段的修復數(shù)據(jù)，其中來自不同測試和修復階段的修復數(shù)據(jù)存儲在同一數(shù)據(jù)分段中。