[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 201210394870.2 | 申請日: | 2012-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN103219354B | 公開(公告)日: | 2017-11-17 |
| 發明(設計)人: | 金一南;樸源祥;金敏佑;金在經;崔海潤 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司11204 | 代理人: | 余朦,劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求于2012年1月19日在韓國知識產權局提交的第10-2012-0006169號韓國專利申請的優先權和權益,該申請的全部內容通過引用并入本文。
技術領域
本發明的實施方式涉及有機發光二極管(OLED)顯示器和制造該OLED顯示器的方法,更具體的,涉及具有改進的光效率的OLED顯示器以及制造該OLED顯示器的方法。
背景技術
OLED顯示器是通過OLED發射光以顯示圖像的自發光顯示裝置。與液晶顯示器不同,OLED顯示器不需要單獨的光源,因此能夠減少其相對厚度和重量。另外,OLED顯示器具有高品質特性,例如低功耗、高亮度以及快速反應速度,因而其作為用于便攜式電子裝置的下一代顯示裝置而備受矚目。
OLED是當電子和空穴復合以及耗散(dissipate)時產生光并發射光的二極管。OLED包括用于注入空穴的電極、用于注入電子的電極以及發光層。OLED具有層壓結構,其中發光層被插置于陽極(為用于注入空穴的電極)與陰極(為用于注入電子的電極)之間。
具體地,被注入陰極的電子和被注入陽極的空穴通過外部電場朝向彼此移動,然后在發光層中復合,以便其耗散而發射光。OLED的發光層由單分子有機材料或者聚合物形成。
發明內容
本發明的實施方式提供了一種有機發光二極管(OLED)顯示器以及制造該OLED顯示器的方法,該OLED顯示器通過在像素限定層(PDL)上形成壓紋來抑制有機發光層與電極之間的全反射(全內反射),從而提高可見性以及光效率。
根據本發明的示例性實施方式,提供了一種有機發光二極管(OLED)顯示器。該OLED顯示器包括:襯底;位于所述襯底上并且具有凹部的絕緣層;位于所述絕緣層上的第一電極;位于所述絕緣層上,并且配置為將所述第一電極限定成像素的像素限定層(PDL);位于被所述像素限定的第一電極上的有機發光層;以及位于所述有機發光層上的第二電極。凹部中的每個凹部包括底面和傾斜部。第一電極中的每個第一電極位于所述凹部之一的所述底面和所述傾斜部上。在所述像素限定層的表面的一部分上存在壓紋。
所述OLED顯示器還可包括,位于所述襯底上并且電連接到所述第一電極中之一的半導體器件。
所述半導體器件可以是薄膜晶體管(TFT)。
所述第一電極的側面部分可以位于所述凹部的所述傾斜部上。
所述第一電極的所述側面部分可具有與所述凹部的所述傾斜部相同的傾斜角。
所述第一電極的所述側面部分可以被所述像素限定層覆蓋。
所述像素限定層可覆蓋所述凹部的所述傾斜部。
所述像素限定層的所述表面的所述一部分可對應于所述凹部的所述傾斜部。
所述有機發光層可位于與所述第一電極相鄰的所述像素限定層的側面部分上。
所述像素限定層的所述表面的所述一部分可對應于所述像素限定層的所述側面部分。
在所述像素限定層的所述側面部分上的所述有機發光層可具有與所述像素限定層相同的壓紋。
所述第二電極可具有與所述有機發光層相同的壓紋。
所述絕緣層還可包括具有平坦表面的第一絕緣層以及具有所述傾斜部的第二絕緣層。
所述凹部可以由所述第一絕緣層和所述第二絕緣層形成,所述第一絕緣層提供所述凹部的底面。
所述像素限定層上的所述壓紋可以通過選自由摩擦工序、噴砂工序以及掩模工序組成的組的方法形成。
所述壓紋之間的間隔可以在10nm到1000nm之間。根據一個實施方案,所述間隔可以在380nm到780nm之間,對應于可見光的波長。
所述壓紋的高度可以在1nm到100nm之間。
所述OLED顯示器還可包括,在所述第一電極與所述有機發光層之間的第一輔助發光層。
所述第一輔助發光層可包括空穴注入層或者空穴傳輸層中的至少一個。
所述OLED顯示器還可包括,在所述有機發光層與所述第二電極之間的第二輔助發光層。
所述第二輔助發光層可包括電子注入層或者電子傳輸層中的至少一個。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





