[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210394870.2 | 申請日: | 2012-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN103219354B | 公開(公告)日: | 2017-11-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金一南;樸源祥;金敏佑;金在經(jīng);崔海潤 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11204 | 代理人: | 余朦,劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,包括:
襯底;
絕緣層,位于所述襯底上,并且具有凹部;
第一電極,位于所述絕緣層上;
像素限定層,位于所述絕緣層上,并且配置為將所述第一電極限定成像素;
有機(jī)發(fā)光層,位于被所述像素限定的第一電極上;以及
第二電極,位于所述有機(jī)發(fā)光層上,
其中,
所述凹部中的每個(gè)凹部包括底面和傾斜部,
所述第一電極中的每個(gè)第一電極位于所述凹部之一的所述底面和所述傾斜部上,
在所述像素限定層的表面的一部分上存在壓紋,
位于所述像素限定層和所述第二電極之間的第一邊界表面與位于所述絕緣層和所述像素限定層之間的第二邊界表面相面對,以及
在所述第一邊界表面與所述第二邊界表面彼此重疊的區(qū)域,所述第一邊界表面具有圓弧形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,還包括位于所述襯底上并且電連接到所述第一電極中之一的半導(dǎo)體器件。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述半導(dǎo)體器件是薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第一電極的側(cè)面部分位于所述凹部的所述傾斜部上。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第一電極的所述側(cè)面部分具有與所述凹部的所述傾斜部相同的傾斜角。
6.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第一電極的所述側(cè)面部分被所述像素限定層覆蓋。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述像素限定層覆蓋所述凹部的所述傾斜部。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述像素限定層的所述表面的所述一部分對應(yīng)于所述凹部的所述傾斜部。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述有機(jī)發(fā)光層位于與所述第一電極相鄰的所述像素限定層的側(cè)面部分上。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述像素限定層的所述表面的所述一部分對應(yīng)于所述像素限定層的所述側(cè)面部分。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中在所述像素限定層的所述側(cè)面部分上的所述有機(jī)發(fā)光層具有與所述像素限定層相同的壓紋。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第二電極具有與所述有機(jī)發(fā)光層相同的壓紋。
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述絕緣層還包括具有平坦表面的第一絕緣層以及具有所述傾斜部的第二絕緣層。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述凹部由所述第一絕緣層和所述第二絕緣層形成,所述第一絕緣層提供所述凹部的底面。
15.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述像素限定層上的所述壓紋通過選自由摩擦工序、噴砂工序以及掩模工序組成的組的方法形成。
16.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述壓紋之間的間隔在10nm到1000nm之間。
17.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述壓紋的高度在1nm到100nm之間。
18.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,還包括在所述第一電極與所述有機(jī)發(fā)光層之間的第一輔助發(fā)光層。
19.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第一輔助發(fā)光層包括空穴注入層或者空穴傳輸層中的至少一個(gè)。
20.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,還包括在所述有機(jī)發(fā)光層與所述第二電極之間的第二輔助發(fā)光層。
21.如權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第二輔助發(fā)光層包括電子注入層或者電子傳輸層中的至少一個(gè)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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