[發明專利]CMOS晶體管的制作方法

在審

• 申請號: 201210393118.6
• 申請日: 2012-10-16
• 公開（公告）號: CN103730420A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 韋慶松;于書坤
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括NMOS晶體管區域和PMOS晶體管區域；

在所述半導體襯底上形成柵極結構；

在NMOS晶體管區域的半導體襯底上形成掩膜層，在PMOS晶體管區域柵極結構兩側的半導體襯底內形成PMOS晶體管LDD區；

在PMOS晶體管區域柵極結構兩側的半導體襯底內形成應力襯墊層；

在PMOS晶體管區域的柵極結構及應力襯墊層表面形成阻擋層，在NMOS晶體管區域柵極結構兩側的半導體襯底內形成NMOS晶體管LDD區。

2.如權利要求1所述的CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，在形成NMOS晶體管LDD區后還包括步驟：

去除所述阻擋層；

在NMOS晶體管區域和PMOS晶體管區域的柵極結構兩側形成側墻；

分別以NMOS晶體管區域和PMOS晶體管區域的柵極結構和側墻為掩膜，分別在NMOS晶體管區域和PMOS晶體管區域形成源極和漏極。

3.如權利要求1所述的CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，在形成應力襯墊層之后，在PMOS晶體管區域的柵極結構及應力襯墊層表面形成阻擋層之前，還包括步驟：

在PMOS晶體管區域的柵極結構兩側形成側墻；

以掩膜層和PMOS晶體管區域的柵極結構及側墻為掩膜，在PMOS晶體管區域的半導體襯底內形成源極和漏極。

4.如權利要求3所述的CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，在NMOS晶體管區域柵極結構兩側的半導體襯底內形成NMOS晶體管LDD區之后，還包括步驟：

在NMOS晶體管區域的柵極結構兩側形成側墻；

以阻擋層和NMOS晶體管區域的柵極結構及側墻為掩膜，在NMOS晶體管區域的半導體襯底內形成源極和漏極。

5.如權利要求2或3所述的CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，在PMOS晶體管區域的半導體襯底內形成源極和漏極方法為離子注入，注入的離子為硼，離子注入的能量范圍為20KeV~45KeV，離子注入的劑量范圍為5E13/cm²到8E14/cm²。

6.如權利要求2或4所述的CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，在NMOS晶體管區域的半導體襯底內形成源極和漏極方法為離子注入，注入的離子為砷，離子注入的能量范圍為90keV~200keV，離子注入的劑量范圍為5E13/cm²到8E14/cm²。

7.如權利要求1所述的CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，形成PMOS晶體管LDD區的方法為離子注入，注入的離子為硼或銦；

當注入的離子為硼時，離子注入的能量范圍為12keV~35keV，離子注入劑量范圍為1E13/cm²~1E14/cm²；

當注入的離子為銦時，離子注入的能量范圍為8keV~30keV，離子注入劑量范圍為1E13/cm²~1E14/cm²。

8.如權利要求1所述的CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，形成NMOS晶體管LDD區的方法為離子注入，注入的離子為磷或砷；

注入的離子為磷時，離子注入的能量范圍為5keV~10keV，離子注入的劑量范圍為1E13/cm²~1E14/cm²；

注入的離子為砷時，離子注入的能量范圍為5keV~15keV，離子注入的劑量范圍為1E13/cm²到1E13/cm²。

9.如權利要求1所述的CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，在PMOS晶體管區域形成的所述應力襯墊層為西格瑪形。

10.如權利要求1所述的CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，在PMOS晶體管區域形成的所述應力襯墊層的材料為SiGe。

11.如權利要求1所述的CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，在PMOS晶體管區域形成所述應力襯墊層的工藝為外延生長工藝。