[發(fā)明專(zhuān)利]互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210390789.7
• 申請(qǐng)日: 2009-06-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102931132A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 表成奎
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 智慧投資II有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768;H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 趙國(guó)榮

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2009年6月10日且發(fā)明名稱(chēng)為“CMOS圖像傳感器的制造方法”的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)200980122089.6的分案申請(qǐng)。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)是在2009年6月10日提交的PCT申請(qǐng)PCT/KR2009/003112的35U.S.C.§371國(guó)家階段文本，該P(yáng)CT申請(qǐng)要求在2008年6月11日提交的KR申請(qǐng)10-2008-0054877的優(yōu)先權(quán)。上述申請(qǐng)的每一個(gè)被全部引用參考于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，更具體地，涉及用于制造包括具有多層結(jié)構(gòu)的金屬互連的CMOS圖像傳感器的形成接觸插塞的方法。

背景技術(shù)

在CMOS圖像傳感器的制造方法中，為了改善暗特性，在沉積鈍化層之后進(jìn)行高溫?zé)崽幚怼Ｈ欢鐖D1所示，可由于高溫?zé)崽幚矶l(fā)生互連分層，從而器件的產(chǎn)率降低且器件可能變?yōu)橛腥毕莸摹＿@是在形成鈍化層之后在高溫進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的熱處理的緣故。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問(wèn)題

進(jìn)行本發(fā)明以解決現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)生的問(wèn)題，且本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種CMOS圖像傳感器的制造方法，該方法能夠防止由CMOS圖像傳感器的互連分層引起的小丘型缺陷。

技術(shù)方案

為了實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)，提供一種CMOS圖像傳感器的制造方法，包括步驟：準(zhǔn)備具有第一金屬互連的基板；在第一金屬互連之上形成層間絕緣層；通過(guò)蝕刻層間絕緣層形成接觸孔以暴露第一金屬互連的一部分；在層間絕緣層上以及在接觸孔的內(nèi)表面上形成緩沖層；進(jìn)行退火工藝；通過(guò)蝕刻緩沖層在接觸孔的側(cè)壁形成間隔物；在層間絕緣層的包括間隔物的表面上形成阻擋金屬層；在阻擋金屬層上形成接觸插塞以使得接觸孔被接觸插塞填充；以及在層間絕緣層上形成第二金屬互連以使得第二金屬互連與接觸插塞接觸。

優(yōu)選地，緩沖層包括氮化物層。

優(yōu)選地，退火工藝包括氫（H₂）退火工藝。

優(yōu)選地，退火工藝在400℃至700℃的溫度進(jìn)行。

優(yōu)選地，在氫（H₂）退火工藝中H₂的濃度在1%至80%的范圍內(nèi)。

優(yōu)選地，間隔物通過(guò)干法蝕刻工藝或濕法蝕刻工藝形成。

優(yōu)選地，干法蝕刻工藝包括回蝕工藝或毯式工藝（blanket?process）。

優(yōu)選地，阻擋金屬層包括從由Ti、TiN、Ta、TaN、AlSiTiN、NiTi、TiBN、ZrBN、TiAlN、TiB2、Ti/TiN以及Ta/TaN組成的組中選擇的一種。

優(yōu)選地，第二金屬互連包括從由Ti/Al/TiN、Ti/Al/Ti/TiN以及Ti/TiN/Al/Ti/TiN組成的組中選擇的一種。

有益效果

根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的制造方法，在形成接觸孔后使用緩沖層作為保護(hù)層來(lái)進(jìn)行用于改善CMOS圖像傳感器的暗特性的退火工藝，從而鈍化工藝后進(jìn)行退火工藝的時(shí)間可以省去。因此，可以降低熱預(yù)算，從而可以防止互連分層。

附圖說(shuō)明

圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的制造方法中發(fā)生的小丘型缺陷的圖；以及

圖2至8是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的制造方法的截面圖。

<附圖中附圖標(biāo)記的說(shuō)明>

100：基板????????102：第一金屬互連

104：層間絕緣層??106：接觸孔

108：緩沖層??????112：阻擋金屬層

114：接觸插塞????116：第二金屬互連

具體實(shí)施方式

在下文，將參照附圖描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。在附圖中，層和區(qū)域的厚度和間隔可以為了方便解釋而被夸大。當(dāng)?shù)谝粚颖恢冈诘诙踊蚧濉吧稀被颉爸稀睍r(shí)，這可以表示第一層可以直接在第二層或基板上，或這也可以表示第三層可以形成在第一層和基板之間。此外，在所有附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的層。另外，附圖標(biāo)記的英文字母指相同的層由蝕刻工藝或拋光工藝的局部修飾。

實(shí)施例

圖2至8是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的制造方法的截面圖。

如圖2所示，第一金屬互連102形成在包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的基板100上，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括多個(gè)晶體管和用于光接收器件的光電二極管。在此情況下，第一金屬互連102可以包括從由鋁（AL）、銅（Cu）、鎢（W）或鉑（Pt）組成的組中選擇的一種。優(yōu)選地，第一金屬互連102包括Al。