[發明專利]互補金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法

無效

• 申請號: 201210390789.7
• 申請日: 2009-06-10
• 公開（公告）號: CN102931132A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 表成奎
• 申請（專利權）人: 智慧投資II有限責任公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 趙國榮

1.一種制造CMOS圖像傳感器的方法，該方法包括：

在所述圖像傳感器的基板上形成第一金屬互連；

在所述第一金屬互連上形成層間絕緣層；

形成穿過所述層間絕緣層的接觸孔，以暴露所述第一金屬互連；

在所述接觸孔的內側壁上形成間隔物；

在所述間隔物的內側壁上形成阻擋金屬層；

用導電材料填充所述接觸孔，以在所述阻擋金屬層上形成接觸插塞。

2.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述間隔物包括：

在所述接觸孔的內側壁上形成緩沖層；以及

蝕刻所述緩沖層。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括對所述緩沖層進行退火。

4.根據權利要求3所述的方法，所述退火包括以在1%至80%的范圍內的氫（H₂）濃度進行氫（H₂）退火工藝。

5.根據權利要求1的方法，其中形成所述間隔物包括：

在所述接觸孔的內側壁上形成氮化物層；以及

蝕刻所述氮化物層。

6.根據權利要求5的方法，其中還包括對所述氮化物層進行退火。

7.根據權利要求6的方法，其中所述退火包括以在1%至80%的范圍內的氫（H₂）濃度進行氫（H₂）退火工藝。

8.一種CMOS圖像傳感器，包括：

基板，包括光接受器件；

第一金屬互連，形成在所述基板上；

層間絕緣層，形成在所述金屬層上；

接觸孔，穿過所述層間絕緣層；

間隔物，形成在所述接觸孔的內側壁上；

阻擋金屬層，形成在所述間隔物的內側壁上；以及

導電接觸插塞，形成在所述阻擋金屬層上并構造為填充所述接觸孔。

9.根據權利要求8所述的CMOS圖像傳感器，其中所述阻擋金屬層包括從由Ti、TiN、Ta、TaN、AlSiTiN、NiTi、TiBN、ZrBN、TiAlN、TiB₂、Ti/TiN以及Ta/TaN組成的組中選擇的金屬層。

10.根據權利要求8所述的CMOS圖像傳感器，還包括第二金屬互連，該第二金屬互連形成在所述層間絕緣層上并耦接到所述導電接觸插塞。

11.根據權利要求10所述的CMOS圖像傳感器，其中所述第二金屬互連包括從由Ti/Al/TiN、Ti/Al/Ti/TiN以及Ti/TiN/Al/Ti/TiN組成的組中選擇的金屬互連。

12.根據權利要求10所述的CMOS圖像傳感器，其中所述間隔物包括退火的氮化物層。