[發明專利]硅控整流器

有效

• 申請號: 201210390562.2
• 申請日: 2012-10-15
• 公開（公告）號: CN103730458A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 蘇慶;鄧樟鵬;王邦麟
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/74
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種硅控整流器，其特征是，包括：

深N阱上部順序并列排布有N阱和P阱，所述P阱中還具有隔離N阱將P阱分為兩部分第一P阱和第二P阱；

所述N阱、第一P阱上部形成有N+擴散區和P+擴散區；

所述第二P阱上部形成有兩個N+擴散區，第二P阱上方具有一多晶硅層，形成一NMOS；

所述隔離N阱上部形成有N+擴散區；

所述N阱中的N+擴散區和P+擴散區與隔離N阱中的N+擴散區相連接靜電端；

所述第一P阱中的N+擴散區與所述NMOS漏極、柵極相連通過電阻接地，所述NMOS源極和第一P阱的P+擴散區接地。

2.如權利要求1所述的硅控整流器，其特征是：所述電阻阻值范圍是10歐姆至30000歐姆。

3.如權利要求1所述的硅控整流器，其特征是：所述第一P阱中的N+擴散區與所述NMOS漏極、柵極相連通過電容接地。