[發(fā)明專利]封裝測(cè)試方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210389784.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-10-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103730376B | 公開(公告)日: | 2018-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 傅廷明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/66 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人: | 張龍哺,馮志云 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣臺(tái)*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 測(cè)試 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種測(cè)試方法,且特別是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件的封裝測(cè)試方法。
背景技術(shù)
為了在半導(dǎo)體封裝元件制造過程中,隨時(shí)獲得工藝優(yōu)劣的信息,因此會(huì)于半導(dǎo)體封裝元件上特別設(shè)計(jì)多個(gè)測(cè)試鍵(test key),而這些測(cè)試鍵再經(jīng)由測(cè)試端子接出并接受各種檢測(cè),以監(jiān)控各階段工藝的優(yōu)劣。
半導(dǎo)體元件在覆蓋封裝膠體后且在未電鍍前,其導(dǎo)線架上的各晶片其電性上是短路的,故若欲以尚未單體化(Singulation)的半導(dǎo)體封裝單元來測(cè)試,必須先完成其各晶片間的電性隔離(electrical isolation)。
半導(dǎo)體封裝單元的測(cè)試方式相較于單體化后的晶片的測(cè)試方式有成本上的優(yōu)勢(shì),但目前必須使用專用的測(cè)試系統(tǒng)。現(xiàn)有的測(cè)試系統(tǒng)多適用于有引腳的封裝結(jié)構(gòu),例如:小尺寸封裝(Small Outline Package)及四方引腳扁平封裝(Quad Flat Package,QFP)等,但針對(duì)無引腳封裝結(jié)構(gòu),例如:無引腳小尺寸封裝(Small Outline No-Lead,SON)及四方無引腳扁平封裝(Quad Flat No-lead,QFN)等,在其晶片電性隔離的工藝上卻有困難。此外,傳統(tǒng)的封裝測(cè)試中,其測(cè)試系統(tǒng)需針對(duì)不同封裝結(jié)構(gòu)尺寸而準(zhǔn)備對(duì)應(yīng)的拾取設(shè)備及承載治具,其需要額外的工藝或購置昂貴設(shè)備及治具,這對(duì)生產(chǎn)成本和時(shí)間皆是一種浪費(fèi)。
發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題,本發(fā)明提供了一種封裝測(cè)試方法,其可節(jié)省生產(chǎn)成本以及工藝時(shí)間。
本發(fā)明提出一種封裝測(cè)試方法,適于對(duì)一半導(dǎo)體封裝單元進(jìn)行測(cè)試。封裝測(cè)試方法包括下列步驟。提供半導(dǎo)體封裝單元,其包括封裝膠體、導(dǎo)線架及多個(gè)切割道。切割道于半導(dǎo)體封裝單元上定義出多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件。各半導(dǎo)體封裝元件具有多個(gè)外部連接端子。切斷位于切割道上的導(dǎo)線架,以使半導(dǎo)體封裝元件彼此電性絕緣。將半導(dǎo)體封裝單元載置于承載晶圓上。承載晶圓將半導(dǎo)體封裝單元傳送至一測(cè)試機(jī)臺(tái)。測(cè)試機(jī)臺(tái)具有一探針卡。使探針卡靠近載置于承載晶圓上的半導(dǎo)體封裝單元,使探針卡所具備的多個(gè)探針端子分別與外部連接端子接觸,以對(duì)各半導(dǎo)體封裝元件進(jìn)行測(cè)試。標(biāo)記測(cè)試結(jié)果為異常的半導(dǎo)體封裝元件。單體化半導(dǎo)體封裝元件并移除被標(biāo)記為異常的半導(dǎo)體封裝元件。
基于上述,本發(fā)明利用先沿著切割道切斷導(dǎo)線架,以使半導(dǎo)體封裝單元的各半導(dǎo)體封裝元件間彼此電性絕緣,但并未完全單體化各半導(dǎo)體封裝元件,以此可將整個(gè)半導(dǎo)體封裝單元載置于承載晶圓上,并利用測(cè)試晶圓的探針卡對(duì)半導(dǎo)體封裝單元進(jìn)行測(cè)試,以得知測(cè)試結(jié)果顯示為異常的半導(dǎo)體封裝元件的位址,并將之移除。因此,本實(shí)施例不僅簡化了封裝測(cè)試的流程,降低封裝測(cè)試的成本,更可利用測(cè)試晶圓的測(cè)試機(jī)臺(tái)來測(cè)試其他無引腳小尺寸封裝及小尺寸封裝等封裝結(jié)構(gòu),因而提高了其測(cè)試機(jī)臺(tái)的使用彈性。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。
附圖說明
圖1是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種封裝測(cè)試方法的流程示意圖。
圖2是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝單元局部示意圖。
圖3是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝單元的剖面示意圖。
圖4是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝單元于電性絕緣后的剖面示意圖。
圖5是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝單元設(shè)置于承載晶圓上的俯視示意圖。
圖6是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝單元進(jìn)行電性測(cè)試的剖面示意圖。
圖7是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝單元于單體化后的剖面示意圖。
圖8是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝單元局部示意圖。
圖9是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝單元的剖面示意圖。
圖10是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝單元于電性絕緣后的剖面示意圖。
圖11是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝單元進(jìn)行電性測(cè)試的剖面示意圖。
其中,附圖標(biāo)記說明如下:
100、100a:半導(dǎo)體封裝單元
110:封裝膠體
120:導(dǎo)線架
122、122a:外部連接端子
124:連接桿
130:切割道
140、140a:半導(dǎo)體封裝元件
150:定位孔
200、200a:承載晶圓
210:定位柱
300:探針卡
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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