[發(fā)明專利]封裝測(cè)試方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210389784.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-10-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103730376B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 傅廷明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/66 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人: | 張龍哺,馮志云 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 測(cè)試 方法 | ||
1.一種封裝測(cè)試方法,適于對(duì)一半導(dǎo)體封裝單元進(jìn)行測(cè)試,包括:
提供該半導(dǎo)體封裝單元,該半導(dǎo)體封裝單元包括一封裝膠體、一導(dǎo)線架及多個(gè)切割道,所述多個(gè)切割道于半導(dǎo)體封裝單元上定義出多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件,各半導(dǎo)體封裝元件具有多個(gè)外部連接端子,位于該導(dǎo)線架上;
沿著所述多個(gè)切割道切斷該導(dǎo)線架,以使所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件彼此電性絕緣,且該封裝膠體橫跨所述多個(gè)切割道;
將該半導(dǎo)體封裝單元載置于一承載晶圓上,其中該半導(dǎo)體封裝單元具有至少一定位孔,且該承載晶圓具有與該至少一定位孔對(duì)應(yīng)的至少一定位柱,該至少一定位柱進(jìn)入該至少一定位孔且彼此嵌合;
以該承載晶圓將該半導(dǎo)體封裝單元傳送至一測(cè)試機(jī)臺(tái),該測(cè)試機(jī)臺(tái)具有一探針卡;
使探針卡靠近載置于該承載晶圓上的該半導(dǎo)體封裝單元,使該探針卡所具備的多個(gè)探針端子分別與該外部連接端子相接觸,以對(duì)各該半導(dǎo)體封裝元件進(jìn)行測(cè)試,其中該探針卡還具有多個(gè)抵壓柱,當(dāng)所述多個(gè)探針端子分別與該外部連接端子接觸時(shí),所述多個(gè)抵壓柱分別抵壓各該半導(dǎo)體封裝元件的中心;
標(biāo)記測(cè)試結(jié)果為異常的所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件;
單體化所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件;以及
移除被標(biāo)記為異常的所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件;
其中各該半導(dǎo)體封裝元件為一小尺寸無(wú)引腳封裝元件。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝測(cè)試方法,其中各該外部連接端子為一接墊。
3.如權(quán)利要求1所述的封裝測(cè)試方法,其中沿著所述多個(gè)切割道切斷該導(dǎo)線架后,所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件以位于該切割道上的該封裝膠體彼此連接。
4.如權(quán)利要求3所述的封裝測(cè)試方法,其中該單體化所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件的步驟包括:
切斷位于所述多個(gè)切割道上的該封裝膠體,以單體化所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件。
5.如權(quán)利要求1所述的封裝測(cè)試方法,還包括:
對(duì)各該半導(dǎo)體封裝元件進(jìn)行測(cè)試后,繪制一晶圓圖,以將所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件分為一正常群組以及一異常群組;以及
標(biāo)記該晶圓圖上屬于該異常群組的所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件。
6.如權(quán)利要求1所述的封裝測(cè)試方法,還包括:
對(duì)各該半導(dǎo)體封裝元件進(jìn)行測(cè)試后,繪制一晶圓圖,以將所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件分為一正常群組以及一異常群組;以及
將該晶圓圖傳送至一機(jī)臺(tái),以移除屬于該異常群組的所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件。
7.如權(quán)利要求1所述的封裝測(cè)試方法,其中標(biāo)記測(cè)試結(jié)果為異常的所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝元件的方法包括一般油墨注記。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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