[發明專利]一種有源矩陣有機電致發光顯示器件及顯示裝置有效
| 申請號: | 201210387817.X | 申請日: | 2012-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN102916036A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發明(設計)人: | 馬占潔;皇甫魯江 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有源 矩陣 有機 電致發光 顯示 器件 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種有源矩陣有機電致發光顯示器件及顯示裝置。
背景技術
有機電致發光顯示器件(OLED,Organic?Light-Emitting?Display)是指有機半導體發光材料在電場驅動下,通過載流子注入和復合導致發光的現象。其發光原理是利用銦錫金屬氧化物(ITO,Indium?Tin?Oxides)透明電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極,在一定電壓驅動下,電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子和空穴傳輸層,電子和空穴分別經過電子和空穴傳輸層遷移到發光層,并在發光層中相遇形成激子使發光分子激發,后者經過輻射弛豫而發出可見光。OLED具有更薄更輕、主動發光(不需要背光源)、無視角問題、高清晰、高亮度、響應快速、能耗低、使用溫度范圍廣、抗震能力強、成本低和可實現柔軟顯示等優點。
OLED按照驅動方式可以分為無源驅動和有源驅動兩大類,即直接尋址和薄膜晶體管(TFT)矩陣尋址兩類。其中,有源驅動也稱為有源矩陣(AM)型中的每個發光單元都由TFT尋址獨立控制。發光單元和TFT尋址電路組成的像素結構需要通過電源信號線對其加載直流電源電壓信號(VDD)進行驅動。
而目前AMOLED面板中電源信號線的布線方式,如圖1所示,一般是在每列像素結構的間隙處設置與像素結構一一對應的電源信號線,并在面板的顯示區域之外設置一圈閉合的外圍電源信號線,將來自信號源IC的直流電源電壓信號(VDD)通過這些電源信號線分別傳輸到與其相連的像素結構中。如圖2所示,是另一種電源信號線的布線方式,相對于圖1所示的布線方式,圖2的布線方式在每行像素結構之間增加了電源信號線,將新增的橫向布線的電源信號線和縱向布線的電源信號線交叉連接,構成一個網狀結構,并和顯示區域之外的外圍電源信號線連成一體,這種布線方式能有效降低直流電源電壓信號在電源信號線上傳輸時的電壓衰減(IR?Drop),從而降低AMOLED面板的功耗以及電壓衰減對顯示效果的影響。
上述電源信號線的布線方式用于小尺寸的AMOLED時,能夠有效改善電源信號線上的電壓衰減對顯示效果的影響,并且面板的功耗有所降低,但是隨著AMOLED尺寸的增大,上述電源信號線的布線方式不能有效地解決電壓衰減對顯示效果的影響以及面板功耗問題。
發明內容
本發明實施例提供了一種有源矩陣有機電致發光顯示器件及顯示裝置,用以有效減少現有AMOLED中電源信號線的電壓衰減對顯示效果和面板功耗的影響。
本發明實施例提供的一種有源矩陣有機電致發光顯示器件,包括呈矩陣排列的多個像素結構,還包括:為每個所述像素結構提供電源電壓信號的一層電源信號電極,所述電源信號電極具有面狀結構。
本發明實施例提供的一種顯示裝置,包括本發明實施例提供的上述有源矩陣有機電致發光顯示器件。
本發明實施例的有益效果包括:
本發明實施例提供的一種有源矩陣有機電致發光顯示器件及顯示裝置,將現有技術中線狀的電源信號線進行了重新設計優化,將其由線狀變更為一層整面覆蓋面板顯示區域的面狀結構的電源信號電極,相對于現有技術中AMOLED中線狀的電源信號線,整塊面狀的電源信號電極能夠極大的降低其電阻,從而減少電源信號電極傳輸電源電壓信號時的電壓衰減,有效降低電壓衰減對顯示效果的影響,且有效地減少了面板的功耗。
附圖說明
圖1為現有技術的AMOLED中電源信號線的布線結構示意圖之一;
圖2為現有技術的AMOLED中電源信號線的布線結構示意圖之二;
圖3為本發明實施例提供的具有電源信號電極的AMOLED面板的結構示意圖;
圖4為本發明實施例提供的AMOLED中像素結構的具體結構示意圖;
圖5a和圖5b為提供的AMOLED的電源信號電極位置的示意圖;
圖6和圖7為本發明實施例提供的具有電源信號電極和電極信號線的AMOLED面板的結構示意圖;
圖8為本發明實施例提供的AMOLED中低電平信號電極的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖,對本發明實施例提供的有源矩陣有機電致發光顯示器件及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。
附圖中各層薄膜厚度和區域大小不反映真實比例,目的只是示意說明本發明內容。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





