[發(fā)明專利]一種有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210387817.X | 申請(qǐng)日: | 2012-10-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102916036A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬占潔;皇甫魯江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有源 矩陣 有機(jī) 電致發(fā)光 顯示 器件 顯示裝置 | ||
1.一種有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器件,包括呈矩陣排列的多個(gè)像素結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:為每個(gè)所述像素結(jié)構(gòu)提供電源電壓信號(hào)的一層電源信號(hào)電極,所述電源信號(hào)電極具有面狀結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器件,其特征在于,所述像素結(jié)構(gòu)具有依次位于下襯底基板上的緩沖層、控制薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)、有機(jī)電致EL發(fā)光結(jié)構(gòu)以及上襯底基板。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示器件,其特征在于,所述電源信號(hào)電極位于所述緩沖層與下襯底基板之間;或,
所述電源信號(hào)電極位于所述有機(jī)EL發(fā)光結(jié)構(gòu)中的陰極與上襯底基板之間,通過(guò)第二絕緣層與所述陰極相互絕緣。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示器件,其特征在于,所述電源信號(hào)電極位于所述緩沖層與下襯底基板之間且所述像素結(jié)構(gòu)為底部發(fā)光型,所述電源信號(hào)電極在與每個(gè)像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光窗口對(duì)應(yīng)的區(qū)域無(wú)所述電源信號(hào)電極的圖案。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示器件,其特征在于,所述電源信號(hào)電極位于所述陰極與上襯底基板之間且所述像素結(jié)構(gòu)為頂部發(fā)光型,所述電源信號(hào)電極在與每個(gè)像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光窗口對(duì)應(yīng)的區(qū)域無(wú)所述電源信號(hào)電極的圖案。
6.如權(quán)利要求2-5任一項(xiàng)所述的顯示器件,其特征在于,所述電源信號(hào)電極通過(guò)過(guò)孔與所述控制TFT結(jié)構(gòu)中的有源層、源漏極或所述有機(jī)EL發(fā)光結(jié)構(gòu)中的像素電極電性相連。
7.如權(quán)利要求2-5任一項(xiàng)所述的顯示器件,其特征在于,還包括:與所述控制TFT結(jié)構(gòu)中的源漏極同層設(shè)置的電源信號(hào)線,所述電源信號(hào)線與所述電源信號(hào)電極并聯(lián)。
8.如權(quán)利要求2-5任一項(xiàng)所述的顯示器件,其特征在于,還包括:與所述有機(jī)EL發(fā)光結(jié)構(gòu)中的陰極電性相連的至少一層低電平信號(hào)電極,每層所述低電平信號(hào)電極具有面狀結(jié)構(gòu)。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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