[發明專利]誤差擴散和網格移位的算法

有效

• 申請號: 201210387380.X
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN103293870A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 劉沛怡;林世杰;王文娟;許照榮;林本堅
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

技術領域

本發明涉及半導體領域，更具體地，本發明涉及一種誤差擴散和網格移位的算法。

背景技術

半導體工業經歷了指數增長。光刻清晰度持續提高以支持90nm到65nm、45nm、32nm、22nm、16nm以及更多的臨界尺寸(CD)。已經開發了光刻的新技術，諸如浸沒式光刻、多個圖案化、超紫外線(EUV)光刻以及電子束光刻。新式光刻技術產生的挑戰不僅在于清晰度上，還在于經濟上(諸如，更新的成本和吞吐量的損失)。很多開發都集中于改進清晰度，而不明顯減小處理吞吐量。然而，當前方法不在所有方面都滿足。

發明內容

為了解決現有技術中所存在的問題，根據本發明的一個方面，提供了一種在光刻處理中使用的方法，包括：在圖形數據庫系統(GDS)網格中提供集成電路(IC)布局設計；將所述IC布局設計GDS網格轉換為子像素曝光網格；對所述子像素曝光網格應用誤差擴散技術；對所述子像素曝光網格(在接受所述誤差擴散之后)應用網格移位技術，以生成網格移位曝光網格；在對所述子像素曝光網格(在接受所述誤差擴散之后)應用所述網格移位的同時，將所述子像素曝光網格(在接受所述誤差擴散之后)轉換為具有較大像素尺寸的曝光網格；將所述曝光網格與所述網格移位曝光網格相加，以生成第二曝光網格，其中，所述第二曝光網格使用比所述子像素曝光網格更少的數據量。

在該方法中，所述子像素曝光網格由像素的二維陣列形成，并且其中，所述像素尺寸被選擇為大于所述IC布局設計GDS網格的所述像素尺寸。

在該方法中，所述子像素曝光網格的所述像素尺寸在0.5nm到8.0nm的范圍內。

在該方法中，所述誤差擴散技術包括Floyd-Steinberg誤差擴散算法。

在該方法中，所述網格移位包括沿著第一方向移位。

在該方法中，所述網格移位包括沿著第二方向移位。

在該方法中，所述網格移位包括沿著第一方向和第二方向移位。

在該方法中，所述移位等于在每個方向上的所述網格移位子像素曝光網格的像素尺寸的一半。

在該方法中，對所述子像素曝光網格(在接受所述誤差擴散之后)應用多個網格移位。

在該方法中，所述多個網格移位相互獨立地移位。

在該方法中，所述曝光網格使用比所述子像素曝光網格更少的針對灰度級的位。

在該方法中，所述網格移位曝光網格使用比所述子像素曝光網格更少的針對灰度級的位。

根據本發明的另一方面，提供了一種用于在光刻中提供曝光網格的方法，包括：在圖形數據庫系統(GDS)網格中提供集成電路(IC)布局設計；將所述IC設計布局GDS網格轉換為具有0.5nm到8.0nm的像素尺寸的子像素曝光網格，并且使用針對灰度級的k位；對所述子像素曝光網格應用Floyd-Steinberg誤差擴散算法，并且使用針對灰度級的少于k位；對所述子像素曝光網格(在接受所述誤差擴散之后)應用網格移位，以生成網格移位曝光網格，并且使用針對灰度級的少于k位；在對所述子像素曝光網格(在接受所述誤差擴散之后)應用所述網格移位的同時，將所述子像素曝光網格(在接受所述誤差擴散之后)轉換為具有比所述子像素曝光網格的像素尺寸更大的像素尺寸的曝光網格；以及結合所述曝光網格與所述網格移位曝光網格，以生成第二曝光網格，其中，所述第二曝光網格使用比所述子像素曝光網格更少的數據量。

在該方法中，所述子像素曝光網格(在接受所述誤差擴散之后)使用針對灰度級的(k-1)位。

在該方法中，所述網格移位曝光網格使用針對灰度級的(k-1)位。

在該方法中，所述網格移位曝光網格的像素尺寸是所述子像素曝光網格的像素尺寸的兩倍。

在該方法中，所述曝光網格的像素尺寸是所述子像素曝光網格的像素尺寸的兩倍。

在該方法中，所述第二曝光網格的像素尺寸大于所述子像素曝光網格的像素尺寸。

在該方法中，進一步包括：沿著不同方向對所述子像素曝光網格(在接受所述誤差擴散之后)執行多個網格移位。