[發明專利]半導體裝置的刷新控制電路和方法

無效

• 申請號: 201210385055.X
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN103065676A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 李政祐
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 石卓瓊;郭放

相關申請的交叉引用

本申請要求2011年10月18日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2011-0106162的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置，更具體而言，涉及一種執行刷新操作的半導體裝置。

背景技術

在半導體裝置之中，諸如DRAM的存儲裝置包括用電容器實現的存儲器單元。由于電容器的特性而在電容器中不可避免地出現泄漏電流，所以DRAM展示出易失性存儲裝置的特性。因此，存儲裝置應當在將數據儲存在存儲器單元中之后，周期性地執行數據保持操作。數據保持操作被稱作為刷新操作。一般地，將刷新操作分成自動刷新操作和自我刷新操作，所述自動刷新操作是根據命令輸入來執行，所述自我刷新操作是通過存儲裝置本身周期性地執行。

圖1示意性地說明現有的刷新控制電路的配置。在圖1中，現有的刷新控制電路包括用于半導體裝置的正常操作的電路和用于刷新操作的電路。刷新控制電路包括地址鎖存單元10、刷新計數器20、地址選擇單元30、激活控制單元40、第一存儲體選擇單元51至第四存儲體選擇單元54以及行選擇單元60。地址鎖存單元10被配置成接收行地址信號RA和激活信號ACT以產生正常地址信號Normal_Gax。刷新計數器20被配置成接收刷新信號REFP以產生當刷新信號REFP輸入時邏輯值連續增大或減小的刷新地址信號Ref_Gax。地址選擇單元30被配置成響應于刷新命令REF而選擇正常地址信號Normal_Gax或刷新地址信號Ref_Gax作為輸出地址信號Gax。激活控制單元40被配置成接收激活信號ACT和刷新信號REFP以當激活信號ACT或刷新信號REFP被使能時產生激活控制信號ACTCON。

第一存儲體選擇單元51至第四存儲體選擇單元54被配置成接收激活控制信號ACTCON和各自分配的存儲體地址信號BA<0:3>。此外，第一存儲體選擇單元51至第四存儲體選擇單元54被配置成接收刷新信號REFP。第一存儲體選擇單元51至第四存儲體選擇單元54分別產生第一存儲體選擇信號ACT_BK0至第四存儲體選擇信號ACT_BK3。刷新信號REFP在正常操作期間被禁止，而在刷新操作期間被使能。在正常操作期間，第一存儲體選擇單元51至第四存儲體選擇單元54根據存儲體地址信號BA<0:3>僅分別使能特定的存儲體選擇信號ACT_BK0至ACT_BK3。例如，當第一存儲體地址信號BA<0>處于高電平且第二至第四存儲體地址信號BA<1:3>都處于低電平時，第一存儲體選擇單元51可以將第一存儲體選擇信號ACT_BK0使能，而第二存儲體選擇單元52至第四存儲體選擇單元54可以分別將第二存儲體選擇信號ACT_BK1至第四存儲體選擇信號ACT_BK3禁止。第一存儲體選擇單元51至第四存儲體選擇單元54在刷新操作期間，響應于刷新信號REFP而將全部的第一存儲體選擇信號ACT_BK0至第四存儲體選擇信號ACT_BK3使能。換言之，第一存儲體選擇單元51至第四存儲體選擇單元54被配置成在刷新操作期間，無論存儲體地址信號BA<0:3>如何，都將全部的第一存儲體選擇信號ACT_BK0至第四存儲體選擇信號ACT_BK3使能。

行選擇單元60被配置成接收輸出地址信號Gax以及第一存儲體選擇信號ACT_BK0至第四存儲體選擇信號ACT_BK3，以產生第一行選擇信號Row_BK0至第四行選擇信號Row_BK3。第一行選擇信號Row_BK0至第四行選擇信號Row_BK3用來將相應的存儲體的字線使能。

現有的刷新控制電路被配置成在刷新操作期間，將全部存儲體中的字線使能。因此，同時對全部的存儲體執行刷新操作。

發明內容

本文描述了一種能夠控制針對每個存儲體分開執行的刷新操作的刷新控制電路和方法。