[發明專利]半導體裝置的刷新控制電路和方法無效
| 申請號： | 201210385055.X | 申請日： | 2012-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN103065676A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發明（設計）人： | 李政祐 | 申請（專利權）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/406 | 分類號： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 石卓瓊;郭放 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 刷新 控制電路 方法 | ||
1.一種半導體裝置的刷新控制電路，包括：
第一存儲體刷新計數器，所述第一存儲體刷新計數器被配置成在刷新操作期間，當第一存儲體地址信號被使能時，增大或減小第一刷新地址信號的邏輯值；
第二存儲體刷新計數器，所述第二存儲體刷新計數器被配置成在所述刷新操作期間，當第二存儲體地址信號被使能時，增大或減小第二刷新地址信號的邏輯值；
存儲體選擇單元，所述存儲體選擇單元被配置成在所述刷新操作期間，響應于所述第一存儲體地址信號和所述第二存儲體地址信號而產生第一存儲體選擇信號和第二存儲體選擇信號；以及
行選擇單元，所述行選擇單元被配置成響應于所述第一刷新地址信號和所述第二刷新地址信號以及所述第一存儲體選擇信號和所述第二存儲體選擇信號，而產生第一行選擇信號和第二行選擇信號。
2.如權利要求1所述的刷新控制電路，其中，所述行選擇單元在所述第一存儲體選擇信號被使能時，根據所述第一刷新地址信號而產生所述第一行選擇信號。
3.如權利要求2所述的刷新控制電路，其中，所述行選擇單元在所述第一存儲體選擇信號被使能時，根據所述第一刷新地址信號而將所述第二行選擇信號禁止。
4.如權利要求1所述的刷新控制電路，其中，所述行選擇單元在所述第二存儲體選擇信號被使能時，根據所述第二刷新地址信號而產生所述第二行選擇信號。
5.如權利要求4所述的刷新控制電路，其中，所述行選擇單元在所述第二存儲體選擇信號被使能時，根據所述第二刷新地址信號而將所述第一行選擇信號禁止。
6.一種半導體裝置的刷新控制電路，
其中，在正常操作期間，所述刷新控制電路響應于存儲體地址信號和行地址信號而將特定存儲體的字線使能，以及
其中，在刷新操作期間，所述刷新控制電路通過響應于刷新地址信號而將包括在特定的存儲體中的字線使能，來響應于所述存儲體地址信號選擇所述特定的存儲體。
7.一種操作半導體裝置的刷新控制的方法，包括以下步驟：
在刷新操作期間，響應于存儲體地址信號而產生多個存儲體之中的特定存儲體的刷新地址信號；
在所述刷新操作期間，響應于所述存儲體地址信號而將所述特定存儲體的存儲體選擇信號使能；以及
將所述刷新地址信號和所述存儲體選擇信號組合以產生行地址信號。
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