[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210382954.4
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN103730417A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 王新鵬;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L29/08;H01L27/092
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S101：提供半導體襯底，所述半導體襯底包括用于形成NMOS的NMOS區和用于形成PMOS的PMOS區；

步驟S102：在所述半導體襯底的PMOS區通過嵌入式鍺硅工藝形成抬升的PMOS源極和漏極；

步驟S103：在所述半導體襯底的NMOS區通過嵌入式碳硅工藝形成抬升的NMOS源極和漏極；

其中，所述步驟S102和步驟S103的順序可以互換。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S102包括：

步驟S1021：在所述半導體襯底上形成一層圖形化的光刻膠，其中，所述光刻膠位于所述PMOS的源區和漏區的部分被去除；

步驟S1022：利用所述圖形化的光刻膠為掩膜，對所述半導體襯底進行刻蝕，在所述半導體襯底上所述PMOS的源區和漏區對應的位置分別形成硅凹槽；

步驟S1023：在所述PMOS的源區硅凹槽和漏區硅凹槽的位置分別形成鍺硅層，作為所述PMOS的源極和漏極。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述PMOS源區硅凹槽和漏區硅凹槽的截面形狀為Sigma形或矩形。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S103包括：

步驟S1031：在所述半導體襯底上形成一層圖形化的光刻膠，其中，所述光刻膠在NMOS的源區和漏區的部分被去除；

步驟S1032：利用所述圖形化的光刻膠為掩膜，對所述半導體襯底進行刻蝕，在所述半導體襯底上所述NMOS的源區和漏區對應的位置分別形成硅凹槽；

步驟S1033：在所述NMOS的源區硅凹槽和漏區硅凹槽的位置分別形成鍺硅層，作為所述NMOS的源極和漏極。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS的源區硅凹槽和漏區硅凹槽的截面形狀為Sigma形或矩形。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S?102中形成的所述PMOS的源極和漏極的頂部均高于所述半導體襯底的上表面，和/或，在所述步驟S103中形成的所述NMOS的源極和漏極的頂部均高于所述半導體襯底的上表面。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S101和步驟S102之間還包括：在所述半導體襯底上形成NMOS的金屬柵極和PMOS的金屬柵極的步驟。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述在所述半導體襯底上形成NMOS的金屬柵極和PMOS的金屬柵極的步驟與所述步驟S102之間，還包括形成金屬柵極保護層的步驟，所述金屬柵極保護層覆蓋包括所述NMOS的金屬柵極和PMOS的金屬柵極在內的所述半導體襯底。

9.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS的源極和漏極的高度均不低于所述NMOS的金屬柵極的高度，和/或，所述PMOS的源極和漏極的高度均不低于所述PMOS的金屬柵極的高度。

10.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS的金屬柵極和所述PMOS的金屬柵極的高度均為

11.如權利要求10所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS的金屬柵極和所述PMOS的金屬柵極的高度均為

12.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS的源極和漏極均高于所述NMOS的金屬柵極，且高出的高度范圍小于和/或，所述PMOS的源極和漏極均高于所述PMOS的金屬柵極，且高出的高度范圍小于