[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210382865.X
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN103730342A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 林靜;何有豐
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上依次形成界面層、高k介電層、覆蓋層和犧牲柵極材料層；

執行第一濕法清洗，以去除所述半導體襯底的背面上形成的犧牲柵極材料層；

對所述半導體襯底依次進行表面氧化處理和第二濕法清洗，以去除所述第一濕法清洗在位于所述半導體襯底正面的犧牲柵極材料層的表面造成的粒子缺陷。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述界面層的材料包括硅氧化物。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述高k介電層的材料包括氧化鉿。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆蓋層的材料包括氮化鈦和氮化鉭。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲柵極材料層的材料為無定形硅。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在爐管中實施化學氣相沉積工藝形成所述無定形硅。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一濕法清洗的清洗液為氫氟酸和硝酸的混合物。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面氧化處理的時間為10-600s，壓力為5-780Torr。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面氧化處理的氧化劑為臭氧或者氧氣。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二濕法清洗的清洗液為稀釋的氫氟酸或者氨水、雙氧水和水的混合液。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述稀釋的氫氟酸的濃度為100:1-10000:1。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二濕法清洗的時間為10-120s，溫度為0-80℃。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二濕法清洗之后，還包括依次蝕刻所述犧牲柵極材料層、覆蓋層、高k介電層和界面層的步驟，以在所述半導體襯底上形成偽柵極結構。