[發明專利]發光二極管的制作方法及由該制作方法制作的發光二極管

有效

• 申請號: 201210381744.3
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN103730543A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 連亞琦;洪梓健
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管的制作方法，包括：

提供一發光二極管磊晶結構，其包括磊晶層；

在磊晶層上形成第一電極和第二電極；

在磊晶層以及第一電極和第二電極上連續鋪設一鈍化層；

對第一電極和第二電極進行退火處理；以及

去除第一電極和第二電極上覆蓋的鈍化層，使第一電極和第二電極的上表面裸露于外。

2.如權利要求1所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：在磊晶層以及第一電極和第二電極上連續鋪設一鈍化層的步驟之前還包括在第一電極和第二電極上分別形成一中間金屬層的步驟，該中間金屬層與鈍化層之間的結合力高于第一電極和第二電極與鈍化層之間的結合力。

3.如權利要求2所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述第一電極和第二電極的材料為金，所述中間金屬層的材料為鈦、鎳、鎢、鉻、鋁、鈀或其合金，所述鈍化層的材料為二氧化硅或氮化硅。

4.如權利要求3所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述中間金屬層的厚度為50埃至500埃。

5.如權利要求3所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述鈍化層的厚度為1000埃至5000埃。

6.如權利要求1所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述磊晶層包括第一半導體層、有源層和第二半導體層，所述第一半導體層包括第一區域和第二區域，該第一區域裸露，第二區域上依次覆蓋有源層、第二半導體層，該第一電極形成在第一半導體層的第一區域上，第二電極形成在第二半導體層上，所述第二半導體層上還形成一透明導電層，所述第二電極形成于透明導電層上。

7.如權利要求6所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述發光二極管磊晶結構還包括基板，所述第一半導體層、有源層和第二半導體層依次形成與所述基板上，所述第一半導體層為N型氮化鎵半導體層，第二半導體層為P型氮化鎵半導體層。

8.如權利要求1-7中任意一項所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述第一電極和第二電極采用蒸鍍的方式形成于磊晶層上。

9.如權利要求8所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述去除第一電極和第二電極上覆蓋的鈍化層的步驟是通過干蝕刻的方式達成。

10.一種發光二極管，其特征在于：所述發光二極管由如權利要求1-9中任意一項所述的制作方法制作而成。