[發明專利]太陽能電池

無效

• 申請號: 201210381388.5
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN103094377A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 金英水;金東燮;李斗烈;金永鎮;樸映相;牟燦濱;李成喆
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星

技術領域

所描述的技術總體上涉及一種太陽能電池及其制造方法。

背景技術

太陽能電池包括硅基底以及位于硅基底的表面上的p摻雜區和n摻雜區。當太陽光施加到太陽能電池上時，即，當光子進入基底時，在基底中產生電子和空穴對，產生的電子向n摻雜區運動，產生的空穴向p摻雜區運動。電子和空穴的運動產生光伏效應，在p-n結的兩端產生電勢差。另外，自由電子和空穴分別向n摻雜區和p摻雜區運動，從而產生電流。通過電勢差產生電，并且向結合到太陽能電池的負載電路提供電流，從而將太陽光能量轉換為電能。

背接觸太陽能電池包括基底、抗反射層、摻雜區、保護層和接觸電極。基底是單晶硅或多晶硅的晶片，并且表示電子和空穴在其上運動的通路。基底的前面被結構化，并且在基底的前表面上提供由氮化硅和氧化硅制成的抗反射層。條形形狀的n摻雜區和條形形狀的p摻雜區在后表面上交替地布置在基底處，保護層涂覆在后表面的頂部上。保護層包括通過去除疊置在摻雜區上的區域的一部分而產生的通孔。然后接觸電極通過通孔電連接到摻雜區。

在該背景部分公開的上述信息僅是用于增強對所描述的技術的背景的理解，因此，上述信息可能包含不構成對于本領域普通技術人員來說在該國已知的現有技術的信息。

發明內容

本發明的實施例提供了一種具有大的能量效率的太陽能電池及其制造方法。

本發明的實施例提供了一種具有低生產成本的太陽能電池及其制造方法。

本發明的示例性實施例提供了一種太陽能電池，所述太陽能電池包括：硅基底，所述硅基底包括用于接收光的前表面和與前表面相對的后表面；發射極擴散區，位于后表面上并且用與硅基底的極性相反的第一極性摻雜；基極擴散區，位于硅基底的后表面上并且用與硅基底的極性相同的第二極性摻雜；以及絕緣間隙，位于發射極擴散區和基極擴散區之間，其中，基極擴散區具有閉合的多邊形形狀，其中，絕緣間隙與基極擴散區相鄰。

絕緣間隙的寬度可以等于或小于100μm。

發射極擴散區可以通過絲網印刷方法形成。

所述絲網印刷方法可以采用其上形成有感光膠圖案的絲網以及膏體，所述膏體可以顯示出從發射極擴散區向基極擴散區的擴展現象，發射極擴散區可以與基極擴散區分開。

發射極擴散區可以利用注入方法形成。

絕緣間隙的寬度可以等于或大于50μm并且可以等于或小于100μm。

發射極擴散區可以利用絲網印刷方法形成。

發射極擴散區的面積可以大于基極擴散區的面積。

發射極擴散區的面積可以大于后表面的面積的百分之八十。

絕緣間隙的寬度可以等于或小于100μm。

絕緣間隙的寬度可以等于或大于50μm并且可以等于或小于100μm。

所述太陽能電池還可以包括位于后表面上的絕緣膜，在絕緣膜的基極擴散區中可以有面積等于或小于基極擴散區的面積的基極通孔。

基極擴散區還可以包括：第一基極擴散區；第二基極擴散區，靠近第一基極擴散區，絕緣間隙可以具有沿著從第一基極擴散區向第二基極擴散區的方向延伸的輔助絕緣間隙。

所述太陽能電池還可以包括：絕緣膜，位于后表面上；基極接觸電極，包括主干和擴展部分，主干位于暴露基極擴散區的至少一部分的基極通孔中，擴展部分在所述主干處在絕緣膜上方延伸并且與輔助絕緣間隙疊置。

輔助絕緣間隙的寬度可以大于絕緣間隙中的主絕緣間隙的寬度。

輔助絕緣間隙的寬度可以等于或小于第一基極擴散區的寬度與主絕緣間隙的寬度的兩倍的總和。

輔助絕緣間隙的寬度可以等于或小于第一基極擴散區的寬度與200μm的總和。

所述太陽能電池還可以包括：多個主絕緣間隙；多個輔助絕緣間隙，連續地設置在與第一基極擴散區相鄰的一個主絕緣間隙和與第二基極擴散區相鄰的另一個主絕緣間隙之間。

所述太陽能電池還可以包括：多個主絕緣間隙；多個輔助絕緣間隙，不連續地設置在與第一基極擴散區相鄰的一個主絕緣間隙和與第二基底擴散區相鄰的另一個主絕緣間隙之間。

所述太陽能電池還可以包括多個發射極擴散區，輔助絕緣間隙可以位于相鄰的發射極擴散區之間。

根據本發明的示例性實施例，當在基極擴散區和發射極擴散區之間設置絕緣間隙時，可以提高太陽能電池對太陽光的利用效率。另外，可以采用降低制造成本的方法來降低制造成本。

附圖說明