[發明專利]太陽能電池無效
| 申請號: | 201210381388.5 | 申請日: | 2012-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN103094377A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發明(設計)人: | 金英水;金東燮;李斗烈;金永鎮;樸映相;牟燦濱;李成喆 | 申請(專利權)人: | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 | ||
1.一種太陽能電池,所述太陽能電池包括:
硅基底,所述硅基底包括用于接收光的前表面和與前表面相對的后表面;
發射極擴散區,位于硅基底的后表面上并且用與硅基底的極性相反的第一極性摻雜;
基極擴散區,位于硅基底的后表面上并且用與硅基底的極性相同的第二極性摻雜;以及
絕緣間隙,位于發射極擴散區和基極擴散區之間,
其中,基極擴散區具有閉合的多邊形形狀,以及
其中,絕緣間隙與基極擴散區相鄰。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,絕緣間隙的寬度等于或小于100μm。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池,其中,發射極擴散區通過絲網印刷方法形成。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池,其中,所述絲網印刷方法采用其上形成有感光膠圖案的絲網以及膏體,
其中,所述膏體顯示出從發射極擴散區向基極擴散區的擴展現象,以及
其中,發射極擴散區與基極擴散區分開。
5.根據權利要求2所述的太陽能電池,其中,發射極擴散區利用注入方法形成。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,絕緣間隙的寬度等于或大于50μm并且等于或小于100μm。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池,其中,發射極擴散區利用絲網印刷方法形成。
8.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,發射極擴散區的面積大于基極擴散區的面積。
9.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,發射極擴散區的面積大于后表面的面積的百分之八十。
10.根據權利要求9所述的太陽能電池,其中,絕緣間隙的寬度等于或小于100μm。
11.根據權利要求9所述的太陽能電池,其中,絕緣間隙的寬度等于或大于50μm并且等于或小于100μm。
12.根據權利要求1所述的太陽能電池,所述太陽能電池還包括位于后表面上的絕緣膜,
其中,在絕緣膜的基極擴散區中有面積等于或小于基極擴散區的面積的基極通孔。
13.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,基極擴散區包括:
第一基極擴散區;以及
第二基極擴散區,靠近第一基極擴散區,
其中,絕緣間隙具有沿著從第一基極擴散區向第二基極擴散區的方向延伸的輔助絕緣間隙。
14.根據權利要求13所述的太陽能電池,所述太陽能電池還包括:
絕緣膜,位于后表面上;以及
基極接觸電極,所述基極接觸電極包括:
主干,位于暴露基極擴散區的至少一部分的基極通孔中;以及
擴展部分,在所述主干處在絕緣膜上方延伸并且與輔助絕緣間隙疊置。
15.根據權利要求13所述的太陽能電池,其中,輔助絕緣間隙的寬度大于絕緣間隙中的主絕緣間隙的寬度。
16.根據權利要求15所述的太陽能電池,其中,輔助絕緣間隙的寬度等于或小于第一基極擴散區的寬度與主絕緣間隙的寬度的兩倍的總和。
17.根據權利要求15所述的太陽能電池,其中,輔助絕緣間隙的寬度等于或小于第一基極擴散區的寬度與200μm的總和。
18.根據權利要求13所述的太陽能電池,所述太陽能電池還包括:
多個主絕緣間隙;以及
多個輔助絕緣間隙,連續地設置在與第一基極擴散區相鄰的一個主絕緣間隙和與第二基極擴散區相鄰的另一個主絕緣間隙之間。
19.根據權利要求13所述的太陽能電池,所述太陽能電池還包括:
多個主絕緣間隙;以及
多個輔助絕緣間隙,不連續地設置在與第一基極擴散區相鄰的一個主絕緣間隙和與第二基底擴散區相鄰的另一個主絕緣間隙之間。
20.根據權利要求13所述的太陽能電池,所述太陽能電池還包括多個發射極擴散區,其中,輔助絕緣間隙位于相鄰的發射極擴散區之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星SDI株式會社,未經三星SDI株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210381388.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:旋轉電機的轉速和位移測量系統
- 下一篇:一種防爆電機接線盒轉換機構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





