[發明專利]有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201210380172.7 | 申請日: | 2012-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN103137650B | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發明(設計)人: | 張榮真;吳在煥;陳圣鉉;李源規 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 第二電極 第一電極 中間層 共振 有機發光顯示裝置 發射層 共振區域 強共振 延伸 子像素 像素 發射 | ||
本發明提供了一種有機發光顯示裝置。一種有機發光顯示裝置包括多個子像素,每個子像素包括:第一電極和第二電極,第二電極在第一電極上方延伸;以及中間層,設置在第一電極和第二電極之間,中間層包括發射層,其中,第一電極的第一部分、第二電極的第一部分和中間層的第一部分在弱共振區域內延伸,弱共振區域被構造成引起由發射層發射的光在第一電極和第二電極之間的第一共振,第一電極的第二部分、第二電極的第二部分和中間層的第二部分在強共振區域內延伸,強共振區域被構造成引起由發射層產生的光在第一電極和第二電極之間的第二共振,第二共振比第一共振強。
本申請要求于2011年11月29日在韓國知識產權局提交的第10-2011-0126274號韓國專利申請的權益,該韓國專利申請的公開的內容通過引用包含于此。
技術領域
實施例涉及一種有機發光顯示裝置。
背景技術
通常,有機發光顯示裝置通過從陽極和陰極注入的空穴和電子在發射層中復合時發光來顯示顏色。有機發光顯示裝置具有堆疊結構,在該堆疊結構中,發射層設置在作為陽極的像素電極和作為陰極的對電極之間。
有機發光顯示裝置的單元像素包括組合來顯示期望顏色的紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素。更具體地講,每個子像素具有用于發射紅光、綠光或藍光的發射層設置在兩個電極之間的結構,單元像素通過合適地組合紅光、綠光和藍光來顯示顏色。
同時,目前在許多情況下,子像素以共振結構形成以增大有機發光顯示裝置的光提取效率。即,共振結構通過將陽極和陰極中的用于顯示圖像的一個電極形成為透明電極并將另一個電極形成為全反射電極來使光在兩個電極之間發生相長干涉,從而可以從每個子像素中提取極大增強的光。
然而,如果使用強共振結構,則雖然光提取效率提高,但視角特性會劣化。例如,如果使用強共振結構,則根據視角會發生明顯的亮度降低和色移。
因此,為了實現可靠性高的產品,需要能夠提高光提取效率并能夠令人滿意地維持視角特性的新結構。
發明內容
一個或多個實施例可以提供一種有機發光顯示裝置,該有機發光顯示裝置包括多個子像素,每個子像素包括:第一電極和第二電極,第二電極在第一電極上方延伸;以及中間層,設置在第一電極和第二電極之間,中間層包括發射層,其中,第一電極的第一部分、第二電極的第一部分和中間層的第一部分在弱共振區域內延伸,弱共振區域被構造成引起由發射層發射的光在第一電極和第二電極之間的第一共振,第一電極的第二部分、第二電極的第二部分和中間層的第二部分在強共振區域內延伸,強共振區域被構造成引起由發射層產生的光在第一電極和第二電極之間的第二共振,第二共振比第一共振強。
每個子像素還可以包括使光在第一電極和第二電極之間共振的鏡層,鏡層包括位于弱共振區域中的第一部分和位于強共振區域中的第二部分,鏡層的第二部分比鏡層的第一部分厚。鏡層可以包括介電鏡層,介電鏡層的第一部分在弱共振區域中延伸,介電鏡層的第二部分在強共振區域中延伸。介電鏡層可以包括交替地堆疊的氧化硅(SiO
鏡層可以包括:介電鏡層,介電鏡層的第一部分在弱共振區域中延伸,介電鏡層的第二部分在強共振區域中延伸;以及金屬鏡層,僅在強共振區域中延伸。金屬鏡層可以包括銀(Ag)層,介電鏡層可以包括交替堆疊的SiO
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210380172.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





