[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210380172.7 | 申請日： | 2012-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN103137650B | 公開（公告）日： | 2018-05-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張榮真;吳在煥;陳圣鉉;李源規(guī) | 申請（專利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 韓明星 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 第二電極 第一電極 中間層 共振 有機發(fā)光顯示裝置 發(fā)射層 共振區(qū)域 強共振 延伸 子像素 像素 發(fā)射 | ||
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括多個單元像素，每個單元像素包括用于發(fā)射不同顏色的光的多個子像素，所述多個單元像素包括：
弱共振單元像素，引起第一共振，以及
強共振單元像素，引起第二共振，第二共振比第一共振強，
其中，每個子像素包括：
第一電極和第二電極，第二電極在第一電極上方延伸；
中間層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，中間層包括發(fā)射層；以及
鏡層，使由發(fā)射層產(chǎn)生的光在第一電極和第二電極之間共振，鏡層包括位于弱共振單元像素中的第一部分和位于強共振單元像素中的第二部分，
其中，鏡層的第一部分包括交替堆疊的氧化硅層和氮化硅層，鏡層的第二部分比鏡層的第一部分厚。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，鏡層為介電鏡層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中：
介電鏡層包括交替堆疊的氧化硅層和氮化硅層，以及
介電鏡層的第二部分包括數(shù)量比介電鏡層的第一部分的堆疊層的數(shù)量更大的堆疊層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，鏡層的第一部分包括介電鏡層，鏡層的第二部分包括介電鏡層和金屬鏡層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中：
金屬鏡層包括銀層，以及
介電鏡層包括交替堆疊的氧化硅層和氮化硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，中間層還包括用于將空穴注入到發(fā)射層中的空穴注入層、用于將空穴傳輸?shù)桨l(fā)射層中的空穴傳輸層、用于將電子注入到發(fā)射層中的電子注入層和用于將電子傳輸?shù)桨l(fā)射層中的電子傳輸層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，空穴傳輸層的位于弱共振單元像素的子像素中的部分的厚度不同于空穴傳輸層的位于強共振單元像素的子像素中的部分的厚度，以便于調(diào)整光在第一電極和第二電極之間的共振。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
