[發(fā)明專利]溝渠絕緣工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210378608.9 | 申請日： | 2012-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN103681452A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林永發(fā);張家豪 | 申請（專利權(quán)）人： | 茂達(dá)電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀純 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 溝渠 絕緣 工藝 | ||
1.一種溝渠絕緣工藝，其特征在于，包含：
提供一基底，其上設(shè)有一墊層以及一硬掩膜層；
于所述硬掩膜層形成至少一開口；
經(jīng)由所述開口刻蝕所述基底，以形成一第一溝渠；
于所述第一溝渠的側(cè)壁上形成一側(cè)壁子；
經(jīng)所述第一溝渠刻蝕所述基底，以于所述第一溝渠下方形成一第二溝渠；
進(jìn)行一熱氧化工藝，以利用所述側(cè)壁子作為一保護(hù)層來氧化所述第二溝渠內(nèi)的所述基底，直到所述第二溝渠被一氧化層填滿；
移除所述側(cè)壁子，以裸露出所述第一溝渠的側(cè)壁；
于裸露出來的所述第一溝渠側(cè)壁上形成一襯層；以及
進(jìn)行一化學(xué)氣相沉積工藝來沉積一介電層，以填滿所述第一溝渠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述墊層是一硅氧墊層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述側(cè)壁子是一氮化硅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述熱氧化工藝是在溫度介于800-1200℃，以水蒸氣、氧氣，或內(nèi)含氯化氫或氮氣的水蒸氣或氧氣，在工藝壓力介于600-760托的條件下進(jìn)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述第二溝渠的開口寬度大小是借由所述側(cè)壁子的厚度來控制。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述襯層是一氧化襯層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述氧化層表面具有一楔形凹陷結(jié)構(gòu)。
8.一種溝渠絕緣工藝，其特征在于，包含：
提供一基底，其上設(shè)有一墊層以及一硬掩膜層；
于所述硬掩膜層形成至少一開口；
于所述開口的側(cè)壁上形成一側(cè)壁子；
經(jīng)由所述開口刻蝕所述基底，以形成一溝渠；以及
進(jìn)行一熱氧化工藝，以利用所述側(cè)壁子作為一保護(hù)層來氧化所述溝渠內(nèi)的所述基底，直到所述溝渠被一氧化層填滿。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述墊層是一硅氧墊層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述側(cè)壁子是一氮化硅層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述熱氧化工藝是在溫度介于800-1200℃，以水蒸氣、氧氣，或內(nèi)含氯化氫或氮氣的水蒸氣或氧氣，在工藝壓力介于600-760托的條件下進(jìn)行。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述側(cè)壁子的厚度小于所述開口的寬度的四分之一。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述氧化層表面具有一楔形凹陷結(jié)構(gòu)。
14.一種溝渠絕緣工藝，其特征在于，包含：
提供一基底，其上設(shè)有一墊層以及一硬掩膜層；
于所述硬掩膜層形成至少一開口；
經(jīng)由所述開口刻蝕所述基底直至一預(yù)定深度，以形成一凹陷區(qū)域；
于所述開口的側(cè)壁上形成一側(cè)壁子；
經(jīng)由所述開口以及所述凹陷區(qū)域刻蝕所述基底，以形成一溝渠；以及
進(jìn)行一熱氧化工藝，以利用所述側(cè)壁子作為一保護(hù)層來氧化所述溝渠內(nèi)的所述基底，直到所述溝渠被一氧化層填滿。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述預(yù)定深度小于0.2微米。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述墊層是一硅氧墊層。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述側(cè)壁子是一氮化硅層。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述熱氧化工藝是在溫度介于800-1200℃，以水蒸氣、氧氣，或內(nèi)含氯化氫或氮氣的水蒸氣或氧氣，在工藝壓力介于600-760托的條件下進(jìn)行。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的溝渠絕緣工藝，其特征在于，所述氧化層表面具有一楔形凹陷結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
