[發明專利]電源箝制靜電放電防護電路

有效

• 申請號: 201210377767.7
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN103219720A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 艾飛;柯明道;姜信欽
• 申請（專利權）人: 晶焱科技股份有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，包括：

一硅控整流器，連接于一高電壓準位與一低電壓準位之間，并用以承載一電流路徑；以及

一控制模塊，并聯于該硅控整流器，該控制模塊電性連接于該硅控整流器的一觸發節點、該高電壓準位與該低電壓準位。

2.如權利要求1所述的電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，該硅控整流器為一P型基底觸發硅控整流器，該控制模塊包括：

一P型金氧半場效晶體管，連接于該高電壓準位；

一N型金氧半場效晶體管，連接于該低電壓準位；

至少一輸出二極管，連接于該P型金氧半場效晶體管與該N型金氧半場效晶體管之間，其中該P型基底觸發硅控整流器的該觸發節點連接該至少一輸出二極管，且該至少一輸出二極管串聯于該P型金氧半場效晶體管與該N型金氧半場效晶體管；

一電阻，并聯于該P型基底觸發硅控整流器、該P型金氧半場效晶體管與該N型金氧半場效晶體管，該電阻的一端連接該高電壓準位；以及

一導通串列，包括至少一連接于該N型金氧半場效晶體管的導通元件，其中該導通串列連接于該電阻的另一端、該P型金氧半場效晶體管與該低電壓準位之間。

3.如權利要求2所述的電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，該至少一導通元件為二極管。

4.如權利要求2所述的電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，該至少一導通元件為PMOS。

5.如權利要求2所述的電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，該至少一導通元件為NMOS。

6.如權利要求2所述的電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，該P型基底觸發硅控整流器包括：

一P型重摻雜區，連接該高電壓準位；

一N型井，相鄰設置于該P型重摻雜區；

一P型井，相鄰設置于該N型井，該P型基底觸發硅控整流器的該觸發節點位于該P型井之內；以及

一N型重摻雜區，相鄰設置于該P型井，并連接該低電壓準位。

7.如權利要求6所述的電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，該P型基底觸發硅控整流器的該觸發節點為P型重摻雜部分。

8.如權利要求1所述的電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，該硅控整流器為一N型基底觸發硅控整流器，該控制模塊包括：

一P型金氧半場效晶體管，連接于該高電壓準位；

一N型金氧半場效晶體管，連接于該低電壓準位；

至少一輸出二極管，連接于該P型金氧半場效晶體管與該N型金氧半場效晶體管之間，其中該N型基底觸發硅控整流器的該觸發節點連接該至少一輸出二極管，且該至少一輸出二極管串聯于該P型金氧半場效晶體管與該N型金氧半場效晶體管；

一電阻，并聯于該N型基底觸發硅控整流器、該P型金氧半場效晶體管與該N型金氧半場效晶體管，該電阻的一端連接該低電壓準位；以及

一導通串列，包括至少一連接于該P型金氧半場效晶體管的導通元件，其中該導通串列連接于該電阻的另一端、該N型金氧半場效晶體管與該高電壓準位之間。

9.如權利要求8所述的電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，該至少一導通元件為二極管。

10.如權利要求8所述的電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，該至少一導通元件為PMOS。

11.如權利要求8所述的電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，該至少一導通元件為NMOS。

12.如權利要求8所述的電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，該N型基底觸發硅控整流器包括：

一P型重摻雜區，連接該高電壓準位；

一N型井，相鄰設置于該P型重摻雜區，該N型基底觸發硅控整流器的該觸發節點位于該N型井之內；

一P型井，相鄰設置于該N型井；以及

一N型重摻雜區，相鄰設置于該P型井，并連接該低電壓準位。

13.如權利要求12所述的電源箝制靜電放電防護電路，其特征在于，該N型基底觸發硅控整流器的該觸發節點為N型重摻雜部分。