[發明專利]一種增強無核封裝基板種子層附著力的處理方法

無效

• 申請號: 201210375699.0
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN103717010A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 徐光遠;李興濤;李延奇;蔣傳江
• 申請（專利權）人: 蘇州卓融水處理科技有限公司
• 主分類號: H05K3/38
• 分類號: H05K3/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于印制線路板制造技術領域，特別涉及一種使用無核增層法進行高密度PCB封裝基板的制造技術。?

背景技術

類似于半導體芯片的制作工藝，在使用無核增層法進行高密度PCB封裝基板制造技術中，每次在積層增層之前，必須要在順次積層的基礎層基材表面制備一層合適厚度的金屬種子層后，才能實現下一層線路圖層及層間銅柱導通圖層的圖形轉移制作。目前制作金屬種子層的流程方法是：首先對已完成研磨處理后的基礎層表面進行化學除膠渣（Desmear）處理?→?等離子體(Plasma)表面活化清潔處理?→?氮氣烤箱烘烤→?之后采用磁控濺射鍍膜的方法完成金屬種子層的制作。?

然而，在實踐應用中發現運用這一工藝處理方法所制作的金屬種子層，其與基材之間的結合力水平只能達到3N/cm左右的最低工藝要求水平，當所制造的基板的線寬線距水平高于50um時，這樣的結合力水平尚可滿足現有制程要求；但是當所制造的基板的線寬線距水平低于50um以下時，則隨著線寬線距越來越窄，因線路層附著力水平太低無法抗拒后續制程所帶來的各種影響和沖擊，導致線路剝離情況越來越嚴重，從而致使制程的良率水平大幅度下降。?

因此為了解決這一現實問題，就必須探索找到一個切實有效的工藝處理方法來大幅提升金屬種子層的結合力水平，從而從根本上提高制程良率水平。?

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種使金屬種子層與基材之間的結合力水平可穩定提高至7N/cm以上的極高應用要求水平的增強無核封裝基板種子層附著力的處理方法。?

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種增強無核封裝基板種子層附著力的處理方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：?

a.化學除膠渣處理階段，先將已經過前工序完成研磨處理后的基板表面進行正常除膠渣處理；

b.進入氫氟酸（HF）處理階段；

c.水洗階段，采用普通化學清洗線或純水清洗線進行；

d.氮氣烤箱烘烤階段，通過在氮氣環境下對基板進行高溫烘烤后結束。

首先，通過采用“化學除膠渣處理（Desmear）”或“等離子體蝕刻清潔處理（Plasma）”處理工藝，對已完成研磨處理的基材表面進行除膠渣處理。此步驟的主要目的是通過選擇合適的加工處理條件和參數，在確保達到完全清除基材表面殘存的膠渣成分的同時，要最大限度的減少對基材表面樹脂成分的咬蝕量，從而確保最大限度地保留對結合力貢獻最大的基材表面的樹脂成分；?

之后，將已完成除膠渣處理的基板表面，采用氫氟酸（HF）進行處理。此步驟是本發明的最主要的處理步驟，應用這一處理工藝可以達成如下兩個目的：

1.??????利用氫氟酸（HF）與基材表面填充物構成成分的化學反應，可以溶除掉絕大部分嵌埋在基材表面的固態填充物，同時對于那些少量嵌埋比較深的固態填充物表面進行腐蝕粗化，從而最大限度消除了固態填充物對基材表面結合力的影響；

氫氟酸（HF）與固體填充物的反應式如下：

?????????????SiO_2?+?4HF?????????SiF₄?+?2H₂O

?????????????Al（OH）₃?+?3HF????????AlF₃?+?3?H₂O

2.??????利用氫氟酸（HF）與基材表面玻纖構成成分的化學反應，可以有效粗化這些裸露在外的玻纖層表面，可顯著提升玻纖層與金屬種子層之間的結合力水平，從而有效解決了玻纖層對結合力的影響。

????????氫氟酸（HF）與玻纖（鋁鵬硅酸鹽類）的主反應式如下：?

SiO_2?+?4HF???????????????????????SiF₄?+?2H₂O

?????????????Al₂O₃?+?6HF??????????2AlF₃?+?3H₂O

?????????????CaO?+?2HF??????????CaF₂?+?H₂O