[發明專利]濕式處理設備無效
| 申請號: | 201210375148.4 | 申請日: | 2012-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN103247553A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發明(設計)人: | 張承逸;安吉秀 | 申請(專利權)人: | 株式會社MM科技 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明;張洋 |
| 地址: | 韓國京畿道安山市檀園區木內*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 設備 | ||
對相關專利申請案的交叉參考
本申請案主張在2012年2月10日向韓國知識產權局申請的韓國專利申請案第10-2012-0013810號的權利,此案的全部揭露內容以引用的方式并入本文中。
技術領域
本發明涉及濕式處理設備,且更明確地說,涉及用于通過濕式處理方法處理襯底的表面的濕式處理設備。
背景技術
用于包含薄膜晶體管的顯示裝置的襯底以及用于半導體裝置的襯底經歷表面處理工藝,以用于從襯底的表面去除氧化硅薄膜或用于平坦化硅薄膜的表面。
表面處理工藝是通過將諸如蝕刻劑的處理液體施加于襯底的表面上而執行。
在濕式處理設備中,執行工藝的處理室可能會受到處理液體污染。因此,安裝于處理室中的裝備可能容易腐蝕。因此,安裝于執行工藝的處理室中的裝備需由具有高的耐腐蝕性以及高的耐化學性的材料形成。此情形過度地增加了裝備成本,而且,歸因于材料的限制,諸如復雜的升高系統的某裝備可能無法安裝于處理室中。
發明內容
本發明提供一種濕式處理設備,其中具有長的耐久性的升高處理設施可用低的成本來安裝。
本發明提供一種濕式處理設備,包含:處理室,其包括襯底進入所通過的第一門以及所述襯底退出所通過的第二門;移動臺,其經配備以在所述處理室中上下移動且其上放置有所述襯底;多個支撐件,其連接到所述移動臺;驅動單元,其經配備以通過連接到所述支撐件中的至少一個而上下移動所述移動臺;固定臺,其固定地安置于所述處理室中且面對所述移動臺,且所述支撐件中的至少一個通過固定臺;以及多個保護構件,其安置于所述固定臺與所述移動臺之間、圍繞所述支撐件中的每一個,且經配備以延伸以及收縮。
所述固定臺可位于所述移動臺與所述驅動單元之間。
所述固定臺可包含位于所述處理室的底部表面與所述移動臺之間的第一固定臺。
所述固定臺可包含位于所述處理室的上部表面與所述移動臺之間的第二固定臺。
所述支撐件可包含連接到所述移動臺的下部表面的至少一個第一支撐件。
所述支撐件可包含連接到所述移動臺的上部表面的至少一個第二支撐件。
并未連接到所述驅動單元的所述支撐件是導桿。
所述固定臺可與所述處理室的側壁以密封方式組合。
所述第一門以及所述第二門可垂直于彼此而安置。
所述濕式處理工藝可更包含安裝于所述處理室中且將處理液體供應到所述襯底上的濕式處理單元。
如上文所述,根據本發明,由于形成上下移動移動臺的升高系統的支撐件以及驅動單元可被保護以免受處理溶液影響,因此不必通過使用具有高的耐腐蝕性以及高的耐化學性的昂貴材料來形成這些構成元件,從而降低濕式處理設備的制造成本。
又,濕式處理設備中的升高系統的耐久性可增加。
又,即使濕式處理單元安裝于處理室中,升高系統仍可安裝于處理室中。
處理室的上部表面和/或底部表面可被保護以免受處理溶液的分散影響。
由于處理液體是由第一固定臺收集,因此處理液體的排放為順利的且處理液體的處理為容易的,從而減少環境污染。
根據本發明的濕式處理設備可用作方向轉換設備,其在用于處理線性布置的襯底的表面的系統中轉換襯底的移動方向。
附圖說明
通過參看所附圖式詳細描述本發明的示范性實施例,本發明的以上以及其它特征與優點將變得更加顯而易見。
圖1是顯示根據本發明的實施例的濕式處理設備的配置的示意圖。
圖2是根據本發明的實施例的圖1的移動臺的實例的透視圖。
圖3是顯示圖2的移動臺上的襯底的傾斜狀態的示意圖。
圖4是顯示根據本發明的另一實施例的濕式處理設備的配置的示意圖。
圖5是顯示根據本發明的再一實施例的濕式處理設備的配置的示意圖。
圖6是具有四個支撐件的移動臺的示意性平面圖。
具體實施方式
現將參看顯示本發明的示范性實施例的附圖來更全面地描述本發明。
圖1是顯示根據本發明的實施例的濕式處理設備的配置的示意圖。
如圖1中所示,根據當前實施例的濕式處理設備包含處理室20、移動臺40以及第一固定臺51。移動臺40以及第一固定臺51安置于處理室20中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





