[發明專利]調壓電路

無效

• 申請號: 201210374132.1
• 申請日: 2012-10-07
• 公開（公告）號: CN103713677A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 周曉東;王曉娟;王紀云
• 申請（專利權）人: 鄭州單點科技軟件有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種調壓電路。

背景技術

調壓是電路中經常用到的電路模塊，用于調整電路功能電壓。現有電路中一般采用晶閘管作為調壓的件，但是晶閘管的面積較大，發熱較大，消耗的功率也較大，根本不適用于集成電路，一般是在芯片外接調壓電路。

發明內容

本發明的發明目的在于：針對上述存在的問題，提供一種MOS結構的調壓電路。

本發明采用的技術方案是這樣的：本發明的一種調壓電路，該電路包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一電阻、第二電阻、可調電阻和肖特基勢壘二極管；所述第一NMOS晶體管的柵極通過第一電阻連接至電壓源并通過可調電阻連接至地，源極接地，漏極連接至肖特基勢壘二極管的負極端、第二NMOS晶體管的柵極以及通過第二電阻連接至電壓源；肖特基勢壘二極管的正極端接地；第二NMOS晶體管的源極接地，漏極作為輸出端的負極。體積較小、功耗小、速度高、適用于集成，電路結構簡單。

在上述的電路中，所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管為參數相同的NMOS晶體管。

在上述的電路中，所述第一電阻和第二電阻為參數相同的電阻。

綜上所述，由于采用了上述技術方案，本發明的有益效果是：該電路體較小、功耗小、速度高、適用于集成，且電路結構簡單。

附圖說明

圖1是本發明調壓電路的電路原理圖。

具體實施方式

下面結合附圖，對本發明作詳細的說明。

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

如圖1所示，是本發明調壓電路的電路原理圖。

下面結合圖1對本發明上述各電子元器件間的連接關系做詳細說明：一種調壓電路，該電路包括第一NMOS晶體管Q1、第二NMOS晶體管Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、可調電阻RW1和肖特基勢壘二極管Z1；所述第一NMOS晶體管Q1的柵極通過第一電阻R1連接至電壓源VDD并通過可調電阻RW1連接至地GND，源極接地GND，漏極連接至肖特基勢壘二極管Z1的負極端、第二NMOS晶體管Q2的柵極以及通過第二電阻R2連接至電壓源VDD；肖特基勢壘二極管Z1的正極端接地；第二NMOS晶體管Q2的源極接地GND，漏極作為輸出端Vout的負極。

在本發明上述的電路中，所述第一NMOS晶體管Q1和第二NMOS晶體管Q2為參數相同的NMOS晶體管。

在本發明上述的電路中，所述第一電阻R1和第二電阻R2為參數相同的電阻。

以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。