[發明專利]調壓電路

無效

• 申請號: 201210374132.1
• 申請日: 2012-10-07
• 公開（公告）號: CN103713677A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 周曉東;王曉娟;王紀云
• 申請（專利權）人: 鄭州單點科技軟件有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種調壓電路，其特征在于，包括第一NMOS晶體管（Q1）、第二NMOS晶體管（Q2）、第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、可調電阻（RW1）和肖特基勢壘二極管（Z1）；所述第一NMOS晶體管（Q1）的柵極通過第一電阻（R1）連接至電壓源（VDD）并通過可調電阻（RW1）連接至地（GND），源極接地（GND），漏極連接至肖特基勢壘二極管（Z1）的負極端、第二NMOS晶體管（Q2）的柵極以及通過第二電阻（R2）連接至電壓源（VDD）；肖特基勢壘二極管（Z1）的正極端接地；第二NMOS晶體管（Q2）的源極接地（GND），漏極作為輸出端（Vout）的負極。

2.根據權利要求1所述的調壓電路，其特征在于，所述第一NMOS晶體管（Q1）和第二NMOS晶體管（Q2）為參數相同的NMOS晶體管。

3.根據權利要求1所述的調壓電路，其特征在于，所述第一電阻（R1）和第二電阻（R2）為參數相同的電阻。